| 大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究 |
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| 引用本文： | 徐天容,杨怀民.大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究[J].强激光与粒子束,2005,17(5):756-760. |
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| 作者姓名： | 徐天容 杨怀民 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900;中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应。通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验，发现总的静态电流增长不明显。对试验结果综合分析得出：在反应堆的综合辐照环境下，中子电离效应较弱，并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低，使得总的静态电流下降，从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长。
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| 关 键 词： | 单片机系统芯片 中子 γ射线 电离辐照效应 |
| 文章编号： | 1001-4322(2005)05-0756-05 |
| 收稿时间： | 2005/1/18 |
| 修稿时间： | 2005年1月18日 |
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