| MOCVD生长AlN的化学反应-输运过程数值模拟研究 |
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| 引用本文： | 卢钦,左然,刘鹏,童玉珍,张国义.MOCVD生长AlN的化学反应-输运过程数值模拟研究[J].人工晶体学报,2014(5). |
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| 作者姓名： | 卢钦 左然 刘鹏 童玉珍 张国义 |
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| 作者单位： | 江苏大学能源与动力工程学院;北京大学物理学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61176009);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB013101) |
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| 摘 要： | 针对垂直转盘式MOCVD反应器生长AlN的化学反应-输运过程进行数值模拟研究,特别探讨了反应室高度、操作压强和加合物衍生的三聚物对AlN生长的化学反应路径的影响。研究结果表明,AlN在MOCVD生长中以Al(CH3)3和NH3的加合路径为主,Al(CH3)3的热解路径很弱;加合路径衍生的二聚物是薄膜生长的主要前体,三聚物是纳米粒子的主要前体;降低反应室高度,寄生反应减弱,热解路径加强,使生长速率增大;增大压强,寄生反应加剧,使生长速率下降;添加由三聚物参加的表面反应后,生长速率提高了近4倍,证明三聚物不参加薄膜生长,只是提供纳米粒子前体。
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| 关 键 词： | MOCVD 化学反应 AlN 数值模拟 |
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