基于SOS和LTD技术的高重复频率脉冲发生器

提出了磁饱和直线变压器驱动源（LTD）泵浦半导体断路开关(SOS)产生高重复频率短脉冲的技术路线。利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构和磁芯可饱和的特点, 实现快速反向泵浦SOS, 通过多级LTD模块叠加获得高电压输出。采用射频金属氧化物场效应晶体管（RF MOSFET）作为LTD初级电路的主开关, 将SOS正向泵浦电流脉冲时间降至数十ns, 泵浦电流脉冲重复频率最高可达MHz。最终研制出一台基于SOS的10级磁饱和LTD型脉冲发生器, 输出电压约11 kV, 电流220 A,脉冲宽度约2 ns, 重复频率为20 kHz。实验验证了磁饱和直线脉冲变压器泵浦SOS产生高重复频率短脉冲的技术路线可行。