| 高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征 |
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| 作者姓名： | 李林 张彬 李占国 李梅 刘国军 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60976038);;高功率半导体激光国家重点实验室基金(批准号:010602)资助 |
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| 摘 要： | 利用MOCVD外延生长技术, 对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节, 获得了高密度(~5×1010 cm-2)的InAs量子点. 室温荧光光谱表明, 覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346 μm, 光谱线宽为24 meV. 研究结果表明, 利用较低温度生长InAs量子点, 结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移, 有效地改善材料的光学特性.
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| 关 键 词： | InAs量子点 1.3μm波长 发光特性 |
| 收稿时间： | 2009-06-01 |
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