| 掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究 |
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| 作者姓名： | 刘湘娜 何宇亮 鲍希茂 徐刚毅 眭云霞 |
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| 作者单位： | (1)南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京210093; (2)南京大学现代分析中心,南京210093; (3)中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:59832100和E020901)资助的课题. |
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| 摘 要： | 研究了掺杂纳米硅薄膜(nc∶Si∶H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态.样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成,为两相结构,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中.对掺磷的nc-Si∶H样品,测量出其ESR信号的g值为1.9990—1.9991,线宽ΔHpp为(40—42)×10-4T,ESR密度Nss为1017cm-3数量级.对掺硼的nc-Si∶H样品,其ESR信号的g值为2.0076—2.0078,ΔH关键词：
纳米硅薄膜
微结构
电子自旋共振
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| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 微结构 电子自旋共振 |
| 文章编号： | 1000-3290-2001-50(03)-0512-05 |
| 收稿时间： | 2000-07-30 |
| 修稿时间： | 2000-07-30 |
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