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| 光致变色材料多阶光存储模型与实验 | |
| 引用本文： | 雷志军,徐端颐,齐国生,佘鹏,胡恒,胡华. 光致变色材料多阶光存储模型与实验[J]. 光学技术, 2005, 31(6): 833-835 |
| 作者姓名： | 雷志军 徐端颐 齐国生 佘鹏 胡恒 胡华 |
| 作者单位： | 清华大学,精密仪器系光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学,精密仪器系光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学,精密仪器系光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学,精密仪器系光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学,精密仪器系光盘国家工程研究中心,北京,100084;清华大学,精密仪器系光盘国家工程研究中心,北京,100084 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划资助项目(973项目)(G19990330) |
| 摘 要： | 光致变色材料具有光子型反应的特点,控制光致变色材料吸收的光子数就可以控制材料的反应程度,从而实现多阶存储。根据光化学反应的原理,分析了光致变色材料的写入过程,建立了光致变色多阶存储写入过程的反射率模型。根据该模型的仿真计算结果,设定了一组合适的曝光量,在1,2_双(2_甲基_5_(4_(1,3_二氧戊环基)苯基)噻吩_3_基)全氟环戊烯材料上实现了8阶存储。 |
| 关 键 词： | 高密度光存储 多阶存储 光致变色 |
| 文章编号： | 1002-1582(2005)06-0833-03 |
| 修稿时间： | 2004-10-25 |
Model of multi-level optical storage with photochromic materials and experiments |
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| LEI Zhi-jun,XU Duan-yi,QI Guo-sheng,SHE Peng,HU Heng,HU Hua. Model of multi-level optical storage with photochromic materials and experiments[J]. Optical Technique, 2005, 31(6): 833-835 | |
| Authors: | LEI Zhi-jun XU Duan-yi QI Guo-sheng SHE Peng HU Heng HU Hua |
| Abstract: | Photochromic materials have the photon-reaction feature.If the number of photons absorbed by the material is controlled,the reaction degree of the material is controlled.Thus the multi-level storage was realized.The write process of photochromic materials was analyzed,and a model was built based on the photochemistry principles.Following the simulation results of the model,a set of exposure energy values are used on 1,2-bis(2-methyl-5-(4-(1,3 -dioxacyclohex) benzene) thiophen-3-yl) perfluorocyclopentene material.And 8 level storage is realized. |
| Keywords: | high-density optical storage multi-level storage photochromic material |
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