| 半Heusler型Na_(1-x)Cs_xAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究 |
| |
| 作者姓名： | 王啸天 代学芳 贾红英 王立英 张小明 崔玉亭 王文洪 吴光恒 刘国栋 |
| |
| 作者单位： | 1. 重庆师范大学物理与电子工程学院, 重庆 400044;2. 河北工业大学材料科学与工程学院, 天津 300130;3. 中国科学院物理研究所, 磁学国家重点实验室, 北京 100190 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51271071,11074160);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准:NCET-10-0126);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(批准号:12965136D);河北省高校百名优秀创新人才支持计划;河南省科技攻关计划项目(批准号:102102210037)资助的课题~~ |
| |
| 摘 要： | ![]()
采用第一性原理的计算方法,研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中,掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响.发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素,能够诱导Na1-x Csx AlGe合金的能带结构由原本正常带序(0 x0.125)转换为反转带序(0.125 x 1).基于对这一现象的深入讨论,我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中,掺杂元素(Cs)是通过其离子半径的不同,进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化,来诱导拓扑反带结构形成的.
|
| 关 键 词： | 第一性原理计算 拓扑绝缘体 半Heusler合金 电子结构 |
| 收稿时间： | 2013-10-30 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
