| Ag掺杂AlN半导体光电性质的第一性原理研究 |
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| 作者姓名： | 邓军权 毋志民 王爱玲 赵若禺 胡爱元 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学物理与电子工程学院, 重庆 401331 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,教育部科学技术重点项目,重庆市教委科研项目,国家创新创业训练计划 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对Ag掺杂AlN 32原子超晶胞体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、磁性和光学性质.结果表明:Ag掺杂后,Ag4d态电子与其近邻的N2p态电子发生杂化,引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,使体系的导电能力增强,同时表现出金属性和弱磁性,其净磁矩为1.38μв.掺杂形成的N-Ag键电荷集居数较小,表现出强的离子键性质.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收谱在低能区出现新的峰值,同时复折射率函数在低能区发生变化,吸收边向低能方向延展,体系对长波吸收加强,能量损失明显减小.
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| 关 键 词： | Ag掺杂AlN 电子结构 铁磁性 光学性质 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2013-10-12 |
| 修稿时间： | 2014-01-26 |
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