| LT-GaAs飞秒光电导之电场响应特性 |
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| 引用本文： | 邓莉,刘叶新,寿倩,吴添洪,赖天树,文锦辉,林位株.LT-GaAs飞秒光电导之电场响应特性[J].物理学报,2004,53(9):3010-3013. |
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| 作者姓名： | 邓莉 刘叶新 寿倩 吴添洪 赖天树 文锦辉 林位株 |
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| 作者单位： | 中山大学光电子材料与技术国家重点实验室/物理系,广州 510275 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60178020，69888005）及广东省自然科学基金（批准号：0112 01，2002B11601）资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用飞秒光电导自相关技术研究了LT GaAs飞秒光电导开关时间随外加偏置电场的变化规律 .实验结果显示当外加偏置电场从0.5×104 V/cm 上升到9.5×104 V/cm 时，光电导 开关时间开始在200fs附近缓慢变化再迅速增加到750fs.这是由于随着外加电场增加，Fren kel-Poole效应导致的EL2缺陷中心库仑吸引势垒降低和电场增强的碰撞电离效应显著增强 ，导致载流子俘获截面减小，载流子寿命增加之故.
关键词：
光电导自相关技术
载流子俘获时间
Frenkel-Poole效应
电子碰撞电离效应
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| 关 键 词： | 光电导自相关技术 载流子俘获时间 Frenkel-Poole效应 电子碰撞电离效应 |
| 文章编号： | 1000-3290/2004/53(09)/3010-04 |
| 收稿时间： | 2003-11-27 |
| 修稿时间： | 1/9/2004 12:00:00 AM |
Response characteristic of femtosecond LT-GaAs photoconductive switches at different voltage bias |
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| Deng Li,Liu Ye-Xin,Shou Qian,Wu Tian-Hong,Lai Tian-Shu,Wen Jin-Hui and Lin Wei-Zhu.Response characteristic of femtosecond LT-GaAs photoconductive switches at different voltage bias[J].Acta Physica Sinica,2004,53(9):3010-3013. |
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| Authors: | Deng Li Liu Ye-Xin Shou Qian Wu Tian-Hong Lai Tian-Shu Wen Jin-Hui and Lin Wei-Zhu |
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| Abstract: | The response characteristic of a LT GaAs photoconductive switch formed in a cop lanar waveguide at different voltage bias is studied with photocurrent autocorre lation measurement technique. The experimental results show that the switching t ime increases from ～200fs to ～750fs, when the bias voltage ascends from 0.5×104 to 9.5×104 V/cm. This phenomenon is attributed to the increase of carr ier capture time arising from the potential barrier lowering (Frenkel Poole eff ect) and the field enhanced thermal ionization. |
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| Keywords: | photocurrent autocorrelation technique carrier capture time Frenkel Poole effect field enhanced thermal ionization |
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