| 利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 |
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| 作者姓名： | 张铁民 缪国庆 傅军 符运良 林红 |
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| 作者单位： | 1. 海南师范大学 物理与电子工程学院, 海南 海口 571158;
2. 中国科学院 激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033 |
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| 基金项目： | 海南省教育厅高等学校科研项目基金(Hjkj2010-21); 国家自然科学基金重点项目(50632060);国家自然科学基金面上项目(50972141); 海南省自然科学基金(609002); 海南师范大学学科建设基金(0020303020317,HS-2-2011-070205)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响.利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长温度下应变释放程度不同,进而在In...
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| 关 键 词： | In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 缓冲层 |
| 收稿时间： | 2010-10-08 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
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