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| 退火处理对W:Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响 | |
| 作者姓名： | 俞平胜 苏良碧 唐慧丽 郭鑫 赵衡煜 杨秋红 徐军 |
| 作者单位： | 1. 上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200072; 2. 中国科学院上海硅酸盐研究所 透明与光功能无机材料重点实验室, 上海 201800 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(60778036,60938001)资助项目 |
| 摘 要： | 通过提拉法制备了W:Bi4 Ge3 O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等.W:Bi4 Ge3 O12的可见光发光强度比纯Bi4 Ge3 O12有所增强,而且N2中退火处理对W:Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用.Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光... |
| 关 键 词： | W: Bi4 Ge3 O12 Bi12 GeO20 光致发光 退火 |
| 收稿时间： | 2011-03-27 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |