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1
1.
射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga2O3薄膜的光学特性
总被引:2,自引:2,他引:0
闫金良
张易军
李清山
曲崇
张丽英
李厅
《光子学报》
2011,40(6):852-856
在不同氨分压比(0~30%)下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.
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