Imaging Photodissociation Dynamics of MgO at 193 nm

In this work, we used time-sliced ion velocity imaging to study the photodissociation dynamics of MgO at \mbox{193 nm}. Three dissociation pathways are found through the speed and angular distributions of magnesium. One pathway is the one-photon excitation of MgO(X\begin{document}$^1\Sigma^+$\end{document}) to MgO(G\begin{document}$^1\Pi$\end{document}) followed by spin-orbit coupling between the G\begin{document}$^1\Pi$\end{document}, 3\begin{document}$^3\Pi$\end{document} and 1\begin{document}$^5\Pi$\end{document} states, and finally dissociated to the Mg(\begin{document}$^3$\end{document}P\begin{document}$_\textrm{u}$\end{document})+O(\begin{document}$^3$\end{document}P\begin{document}$_\textrm{g}$\end{document}) along the 1\begin{document}$^5\Pi$\end{document} surface. The other two pathways are one-photon absorption of MgO(A\begin{document}$^1\Pi$\end{document}) state to MgO(G\begin{document}$^1\Pi$\end{document}) and MgO(4\begin{document}$^1\Pi$\end{document}) state to dissociate into Mg(\begin{document}$^3$\end{document}P\begin{document}$_\textrm{u}$\end{document})+O(\begin{document}$^3$\end{document}P\begin{document}$_\textrm{g}$\end{document}) and Mg(\begin{document}$^1$\end{document}S\begin{document}$_\textrm{g}$\end{document})+O(\begin{document}$^1$\end{document}S\begin{document}$_\textrm{g}$\end{document}), respectively. The anisotropy parameters of the dissociation pathways are related to the lifetime of the vibrational energy levels and the coupling of rotational and vibronic spin-orbit states. The total kinetic energy analysis gives \begin{document}$D_0$\end{document}(Mg\begin{document}$-$\end{document}O)=21645\begin{document}$\pm$\end{document}50 cm\begin{document}$^{-1}$\end{document}.     

GaAs基980 nm高功率半导体激光器的研究进展

GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用。应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性。本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题。针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向。最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望。     

Application of monodisperse TiO2 nanoparticles with the size of 8–10 nm in dye-sensitized solar cells

In this paper, the commercial monodisperse TiO₂ nanoparticles with the size of 8–10 nm were successfully applied to the photoelectrode for dye-sensitized solar cells (DSCs) and the influence of the thickness of the TiO₂ thin films on the photovoltaic performance of the DSCs was investigated. The result revealed that the DSCs with the TiO₂ thin film thickness of 3.6, 8.0, 11.6 and 20.0 μm gave the photoelectric conversion efficiency of 3.67%, 5.92%, 6.71% and 7.03%, respectively, under the illumination of simulated AM 1.5 sunlight (100 mW cm⁻²).     

193 nm氟化物增透膜的特性

 为了研制低损耗、高性能的193 nm氟化物增透膜,研究了基底和不同氟化物材料组合对氟化物增透膜的影响。在熔石英基底上,将挡板法和预镀层技术相结合,采用热舟蒸发方式制备了不同氟化物材料组合增透膜,对增透膜的剩余反射率和光学损耗等光学特性,以及表面粗糙度和应力等特性进行了测量和比较。在分析比较和优化的基础上,设计制备的3层1/4波长规整膜系AlF3/LaF3增透膜在193 nm的剩余反射率低于0.14%,单面镀膜增透膜的透射率为93.85%,增透膜表面均方根粗糙度为0.979 nm,总的损耗约为6％。要得到高性能的193 nm增透膜,应选用超级抛光基底。     

高分辨率405 nm激光显微成像系统研究

 研究了405 nm短波长激光作为照明光源、数值孔径0.65显微物镜组成的显微成像系统。采用该系统对CD-R及DVD-R盘片进行了显微成像,并对激光成像散斑进行了消除,同时利用CCD图像传感技术和图像采集技术对显微图像进行实时观察与存储,与卤素灯白光作为照明光源时的显微图像进行了比较。结果表明：该系统在卤素灯白光作为照明光源时对CD-R盘片信息点可清晰分辨,但对DVD-R盘片信息点的图像不可分辨;而在405 nm激光照明时信息点均可清晰分辨,系统分辨优于400 nm,明显高于普通卤素灯白光照明系统。     

用于氢原子1S-2S光谱研究的超窄线宽243nm半导体激光

近年来,随着激光稳频技术的发展,人们可以把972nm的外腔半导体激光器产生的激光进行放大和四倍频,并将它锁定到超稳定的光学法布里-珀罗腔上,从而可以获得Hz量级超窄线宽的243nm激光,使其成为研究氢原子1S-2S双光子跃迁的有力工具.文章主要介绍了超稳腔、四倍频243nm半导体激光器的研究进展及在氢原子1S-2S双光子跃迁精密光谱研究中的应用.     

LD端面抽运c切Nd:YVO4自拉曼倍频589 nm黄光激光研究

报道了LD端面抽运c切Nd:YVO₄自拉曼倍频黄光激光器的研究. 采用10 mm长,二类临界相位匹配角 (θ=69°,ø=0°)切割的KTP晶体作为倍频晶体. 考虑到c切Nd:YVO₄跃迁截面较小,所以通过对谐振腔及晶体膜系的严格设计,减少腔内插入损耗和衍射损耗. 最终在脉冲重复率为10 kHz,抽运功率为11.2 W下,获得了最高570 mW的倍频黄光激光输出,对应抽运光到倍频黄光的转化效率约为 关键词： 拉曼激光 c切Nd:YVO₄')" href="#">c切Nd:YVO₄ 589 nm 黄光激光     

低阈值852nm半导体激光器的温度特性

通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 m A,输出的光谱线宽小于1 nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328 K时,阈值电流的变化速率为0.447m A/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 m W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。     

一种248 nm光刻胶成膜树脂的合成及相关性能研究

通过自由基共聚合,制备了前驱体共聚物聚对特丁氧酰氧基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯,该共聚物可以通过热解而部分脱除酚羟基上的保护基,得到目标共聚物聚对羟基苯乙烯-共-N-羟基-5-降冰片烯-2,3-二甲酰亚胺甲基丙烯酸酯-共-对特丁氧酰氧基苯乙烯.通过对具有合适分子量的目标共聚物的有机溶剂溶解性、热性能、成膜性、抗干蚀刻能力和在248 nm处光学吸收(为0.212 μm^-1)性能进行研究,表明该聚合物能满足248 nm光刻胶成膜树脂的要求;此外,目标共聚物还具有酸致脱保性能.具有合适分子量和脱保率的目标共聚物,通过对其酸解留膜率的测试,推测其可能满足248 nm光刻胶的曝光显影工艺过程.     

185nm UV降解水中4-CP、4-NP和Rh B的研究

本文以对氯苯酚(4-CP)、对硝基苯酚(4-NP)和罗丹明B(Rh B)为模型有机物(以4-CP和4-NP为小分子模型有机物,以Rh B为大分子模型有机物),分别研究了185 nm UV对水中这3种模型有机物的降解规律、性能和效果.研究结果表明,185 nm UV直接对水中4-CP、4-NP和Rh B有很好的降解效果.研究内容包括:185 nm UV降解模型有机物的浓度、TOC(Total organic carbon)浓度、185 nm UV降解模型有机物过程中溶液pH及电导率变化、以及降解模型有机物过程中产生的无机离子等几个方面.