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1.
3.
《中国惯性技术学报》2020,(2)
针对MEMS磁传感器存在测量噪声大的问题,利用MEMS磁传感器体积小的特点,设计了阵列形式的MEMS磁传感器测量模块,减小了测量噪声对标定结果的影响。通过合理的硬件设计,实现同一时刻采集32个MEMS磁传感器信号。在硬件设计基础上,通过对阵列MEMS磁传感器建模与分析,设计了基于阵列MEMS磁传感器的标定方法。通过仿真及实物系统实验,验证了所提出方法的有效性。系统实验结果表明,采用阵列MEMS磁传感器标定结果的归一化模值标准差较单个磁传感器减小了70%。 相似文献
4.
采用微波辅助法制备了氧化铜(CuO)材料,其结晶度好,没有杂质,呈现片层堆叠而成的块状结构.以CuO材料修饰玻碳电极作为工作电极(CuO/GCE),饱和甘汞电极作为参比电极,铂丝电极作为对电极,在碱性条件下对葡萄糖溶液进行电化学性能检测.该传感器对520 nM到2.0 mM浓度范围内的葡萄糖溶液实现了优良的检测性能,灵敏度为2491.362μA·cm-2·mM-1,检测限为216 nM(S/N=3),在2 s内就可以完成反应.丙烯酸等物质对传感器的影响可以忽略,具有良好的抗干扰性. 相似文献
5.
就标准厚度卡片在霍尔传感器的定标方面的应用作了有益的探讨。在纵向测量微小长度时,霍尔片处于磁场边缘位置,其对磁场的梯度更大,即灵敏度更高,且靠中心位置的线性更好。 相似文献
6.
利用G-四链体DNA(T30695)催化Zn2+插入到中卟啉IX(MPIX)中,引起荧光偏移的特点,建立了检测Zn2+的方法。在40μmol/L MPIX、0.6μmol/L Pb2+、5μmol/L T30695和1%Triton的最优实验条件下,该方法在Zn2+浓度为0.5~5μmol/L范围内呈现良好的线性关系,相关系数R2=0.95,检出限为73.5 nmol/L。离子选择性实验表明该方法对Zn2+具有较好的选择性,用于实际样品测定,回收率在94.7%~100.4%之间。 相似文献
7.
光寻址电位传感器的幅度检测方法易受噪声干扰,灵敏度差,信噪比和精度低,且受调制光源的影响较大,影响检测结果的准确性.为此提出了一种基于正交相位检波的光寻址电位传感器检测方法.该方法是将光寻址电位传感器的输出光电流信号分别与两路正交信号相乘,通过低通滤波提取直流分量并相除,即可得到光寻址电位传感器的输出信号相位信息.与已有的光寻址电位传感器相位检测方法相比,该方法具有算法复杂度低、实时性高的优点.实验研究了调制光源光强对光寻址电位传感器幅度检测和相位检测的影响,对比分析了光寻址电位传感器的传统幅度检测方法与正交相位检波检测方法对pH检测的灵敏度、线性度及信噪比.结果表明,相比于幅度检测方法,调制光源光强对光寻址电位传感器的相位检测影响更小,在频率为10 kHz,pH的范围为1.68~10.01的情况下,相位检测方法比幅度检测方法测得的灵敏度增加了7 mV/pH,精度提高了14.9 mpH,非线性误差减小了0.003%,均方差减少了0.1051×10^-5,信噪比增加了8.2827 dB.该方法特别适用于弱光下的光寻址电位传感器检测. 相似文献
8.
9.
为探索油-气-水三相流持气率测量难题,该文开展了脉冲透射式超声传感器持气率测量动态实验研究。首先,利用超声传感器与光纤传感器组合,测取了油-气-水三相流中段塞流、混状流、泡状流的响应信号;其次,提取了超声脉冲信号的最大值序列来反映不同流型时超声传感器响应特性,同时,借助双头光纤传感器与相关测速法,计算得到了流体中气泡弦长序列;最后,结合流型与泡径信息,利用超声传感器测量了不同流型下持气率,并分析了不同流型持气率预测的误差来源,为其他油-气-水三相流持气率测量传感器设计提供了借鉴。 相似文献
10.
《数理统计与管理》2015,(4):696-706
学术界关注技术进步和技能劳动的作用关系,却忽视不同类型技术对技能劳动的非对称性影响。本文考察技能需求和技能溢价波动性并利用SVAR模型的脉冲响应函数分析其对技术进步冲击的反应。结果发现,不同类型技术进步冲击效应呈非对称性和正负交替特征,其中中性技术进步冲击引发的响应为负而资本体现式技术进步冲击响应为正,其整体效果取决于资本体现式和中性技术进步冲击力度的相对强弱对比,通常资本体现式技术进步对技能需求和技能溢价的作用强度更高但三者变化却同步。表明我国技能溢价扩大和技能需求增长主要由资本体现式技术进步引发,即与投资相融合的技术进步发展诱致技能需求增长和技能溢价。 相似文献