高分辨电子显微学的拓荒者——缅怀李方华先生

2020年的春节格外沉重。突如其来的新冠病毒疫情威胁,导致我们关停了实验室,停止了大部分的正常工作。就在这个除夕夜我们悲痛地失去了一位良师益友、杰出的晶体物理学家——李方华先生。李先生在电子衍射和电子显微图像处理领域深耕数十年,是中国单晶体电子衍射结构分析的开创者、建立和发展高分辨电子显微学的代表人物。她先后发展了两种适用于微小晶体结构和原子分辨率水平晶体缺陷测定的全新电子图像处理方法.     

空间结构增强铜基复合材料的摩擦磨损特征

为实现铜基复合材料性能的有效调控，采用激光选区熔化成形制备了单元尺寸分别为5.00、3.75、2.75、1.75和0.75 mm的18Ni300空间结构增强体，然后在挤压铸造条件获得了具有不同增强体分布的18Ni300空间结构增强铜基复合材料. 研究了复合材料的微观组织、硬度、摩擦磨损性能和磨损表面形貌. 结果表明:随着空间结构单元尺寸的减小，复合材料增强体体积分数不断增加，硬度和耐磨性提高. 结构单元尺寸为0.75 mm时，复合材料增强体体积分数为13.35%，硬度达到HBW120，为铜基体硬度的1.71倍；载荷40 N、线速度0.75 m/s、磨损时间25 min 条件下的体积磨损量为35.4 mm3，比铜基体磨损量降低58%. 由于增强体的作用，复合材料的磨损机制由纯铜的黏着磨损转变为磨粒磨损.      

新型类石墨烯二维晶体材料——锗烯的研究获进展

<正>近日,中国科学院武汉物理与数学研究所曹更玉研究组与中国科学院物理研究所高鸿钧院士研究组合作,在新型类石墨烯二维晶体材料——锗烯的制备研究方面取得新进展,相关研究结果与中科院物理所以共同第一作者单位合作发表在Advanced Materials(2014,26,4820)杂志上。近年来石墨烯研究在世界范围内掀起热潮。到目前为止,研究人员已相继制备出碳元素构成的石墨烯和硅元素构成的硅烯,并探索其蜂窝状结构非同寻常的电子学性质。随着对石墨烯研究的不断深入,研究人     

激光选区熔化Ti-6Al-4V合金的动态力学性能及其本构关系

为了开展激光选区熔化（SLM）增材制造钛合金的动态力学性能研究,分别采用热模拟材料试验机、分离式霍普金森压杆装置对激光选区熔化钛合金在不同温度下进行了准静态和动态压缩实验,并基于实验结果拟合Johnson-Cook本构模型,同时对钛合金在高温、高应变率下的力学行为进行了有限元模拟。结果表明,相对于铸造或锻造钛合金,激光选区熔化钛合金具有更细小、均匀的组织,使其屈服强度有明显的提升,且表现出明显的应变率强化效应和热软化效应。有限元模拟结果与实验有着较高的重合度,进一步验证了本构参数的有效性,为扩大激光选区熔化技术及其产品的应用提供了理论基础。     

全密度功能性复杂金属零件的激光直接快速制造

 针对具有复杂结构的全密度功能性金属零件快速制造难题,探讨了该类零件的选区激光熔化直接快速制造方法,并结合实验,重点对同步保证选区激光熔化快速制造金属零件成型密度及精度的工艺进行了研究。结果表明：同步消除球化、飞溅及气孔对成型件致密性及精度的影响是实现选区激光熔化快速制造全密度功能性复杂金属零件的难点及关键;在维持良好的抗氧化气氛条件下,可采用尽可能薄的铺粉厚度及恰当调节其它成型参数的方法,以保证对上一层有足够的重熔量来消除球化及气孔现象;同时,采用合适的扫描策略,可弱化飞溅对成型质量的影响来解决工艺难题。采用该工艺方案可快速制造全密度功能性复杂金属零件,所成型的316L不锈钢叶轮零件相对密度为99.8%,硬度为HB192,表面粗糙度约为40 μm,尺寸精度在±0.1 mm以内,稍经打磨后即可投入使用。     

Solution Crystallization Behavior of Linear and Star-shaped Poly(ethylene glycol)-b-Poly(ε-caprolactone) Block Copolymers简

Lamellar crystals of diblock, triblock and four-arm poly（ethylene glycol）-b-poly（ε-caprolactone） （PEG-b-PCL） crystalline-crystalline copolymers were successfully obtained from their solution. Morphology and structure of lamellar crystals of crystalline-crystalline copotymers were investigated using tapping-mode atomic force microscopy （AFM） and selected area electron diffraction （SAED）. All of these samples showed the truncated-lozenge multilayer basal shapes with central screw dislocation or central stack, which were all obtained simultaneously from the oil bath. The diffraction pattern of PEG block lamellar crystal is attributed to the （120） diffracting planes and the pattern of PCL block lamellar crystal is attributed to the （1 I0） diffracting planes and （200） diffracting planes according to the SAED results. Four （110） crystal growth planes and two （200） crystal growth planes are discovered for the PCL blocks, but the （120） crystal growth planes of PEG blocks are hided in the figure of AFM. The crystalline structure of the four-arm copolymers （FA） is more disorder and confused than that of the diblock （DI） copolymer and the striated fold surface structures of lamellar crystals of four-arm copolymers （FA） are smoother than these of linear analogues, owing to the confused crystallization of blocks caused by the mutual restriction of blocks and the hindrance of the dendritic cores. In addition, the aspect ratio of FA is greater than that of the others. It is hypothesized that there are two reasons for the change of aspect ratios. First, the （200） diffracting planes of PCL crystals grew slowly compared to their （110） diffracting planes because of difference in the energy barrier. Secondly, edge dislocations on the （200） diffracting planes are also responsible for the variation of the aspect ratio. Consequently, the crystalline defects are augmented by the competing blocks crystallized simultaneously and the hindrance of the dendritic cores.     

反射高能电子衍射及其应用

本文介绍了反射高能电子衍射原理、应用及近年来取得的成果．反射高能电子衍射对固体表面非常敏感，在研究表面结构、表面相变及有关问题上，显示了其优于低能电子衍射的特点．     

GaAs纳米线及GaAs/In_xGa_(1-x)As/GaAs纳米线径向异质结构的无催化选区生长的实验研究

利用无催化选区金属有机化学气相沉积(SA-MOCVD)法在GaAs(111)B衬底上分别制备了GaAs纳米线和GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构.系统地研究了生长条件对GaAs纳米线生长的影响.实验结果显示,GaAs纳米线的形貌和长度依赖于生长温度、AsH3的分压以及SiO2掩膜表面的圆孔直径.因此可以通过调节以上因素来得到高质量的GaAs纳米线.并且发现扩散是影响无催化选区生长GaAs纳米线的主要机理.微区光致发光谱(μ-PL)表明,GaAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线径向异质结构被成功合成,室温(300 K)下它的发光波长为913 nm.这些结果对于GaAs纳米线及其异质结构制备的进一步研究及其在光电子器件中的应用具有很好的参考价值.