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1.
在砂土地层中,串囊式充气锚杆的研究还比较少,其承载特性及受力机理尚不明确。本文基于莫尔-库仑模型和Vesic圆孔扩张理论法,分别对圆柱体、球体、组合体、椭球体假设下的串囊式充气锚杆的扩大段进行计算分析。并将计算结果与试验得到的实测值进行对比。结果表明:四种形状假设中椭球体的形状假设理论值与实测值的误差最小,仅为8.35%。通过拟合试验数据,并引入与端阻力和侧摩阻力有关的两个系数对承载力公式进行修正,得到了抗拔承载力的经验公式。  相似文献   
2.
《数学大王》2015,(3):6-7
在一次数学课上,不管老师怎么喝斥,同学们仍在下面互相扔纸团、用笔乱画,闹得不可开交。同学们的喧闹惹恼了数学老师,他不得不使出绝招——出难题——来维持课堂纪律,便在黑板上写下了一道长长的算式:1+2+3+4+……+98+99+100=?"这不是加法吗?我们刚学过,简单!"  相似文献   
3.
为探索油-气-水三相流持气率测量难题,该文开展了脉冲透射式超声传感器持气率测量动态实验研究。首先,利用超声传感器与光纤传感器组合,测取了油-气-水三相流中段塞流、混状流、泡状流的响应信号;其次,提取了超声脉冲信号的最大值序列来反映不同流型时超声传感器响应特性,同时,借助双头光纤传感器与相关测速法,计算得到了流体中气泡弦长序列;最后,结合流型与泡径信息,利用超声传感器测量了不同流型下持气率,并分析了不同流型持气率预测的误差来源,为其他油-气-水三相流持气率测量传感器设计提供了借鉴。  相似文献   
4.
《数理统计与管理》2015,(4):696-706
学术界关注技术进步和技能劳动的作用关系,却忽视不同类型技术对技能劳动的非对称性影响。本文考察技能需求和技能溢价波动性并利用SVAR模型的脉冲响应函数分析其对技术进步冲击的反应。结果发现,不同类型技术进步冲击效应呈非对称性和正负交替特征,其中中性技术进步冲击引发的响应为负而资本体现式技术进步冲击响应为正,其整体效果取决于资本体现式和中性技术进步冲击力度的相对强弱对比,通常资本体现式技术进步对技能需求和技能溢价的作用强度更高但三者变化却同步。表明我国技能溢价扩大和技能需求增长主要由资本体现式技术进步引发,即与投资相融合的技术进步发展诱致技能需求增长和技能溢价。  相似文献   
5.
非线性互补问题的一种全局收敛的显式光滑Newton方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
本针对Po函数非线性互补问题,给出了一种显式光滑Newton方法,该方法将光滑参数μ进行显式迭代而不依赖于Newton方向的搜索过程,并在适当的假设条件下,证明了算法的全局收敛性。  相似文献   
6.
7.
四气门发动机可变涡流稀薄燃烧特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了可变涡流对四气门发动机稀薄燃烧特性的影响情况。在稀薄燃烧情况下,发动机负荷大小对CO和HC排放的影响不大,对NOx排放的影响主要表现在对13~17空燃比范围内NOx排放的影响,负荷越大,NOx排放越大;对空燃比小于13或大于17以后的NOx排放影响较小。阀片位置对发动机排放特性的影响较小,对发动机的燃油经济性存在一定影响,这是因为不同阀片位置的进气涡流比不同所致,同时也表明较强的涡流运动对燃油经济性更有利。涡流运动在不同转速条件下对发动机燃油经济性的影响情况不同,它更有利于改善低速条件下的燃油经济性。  相似文献   
8.
解析式是中学数学的重要内容之一,也是研究函数、方程、不等式的基础,数学的其它各分支学科均离不开解析式的恒等变换.因此,熟练地掌握一些解析式的变形规律是学好代数及相关学科的前提.本文主要讨论如何利用齐次化与非齐次化的思想,解决一些竞赛中的不等式问题.定义1设xi≥0(i  相似文献   
9.
水斗非定常自由水膜流三维贴体数值模拟   总被引:9,自引:2,他引:7  
本研究采用水斗三维非正交贴体坐标系进行了非定常自由水膜流动的数值解析。对不规则水斗内表面采用三维非正交贴体坐标系下离散点进行拟合,推导了曲面离散点的法向矢量和曲面微元面高斯曲率、平均曲率等几何特征量的计算公式,进而导出流体粒子在运动方向上曲率计算式。在水斗三维贴体坐标系中,还推导了流体粒子在水斗曲面上的运动控制方程。最后对某水轮机水斗内表面非定常自由水膜流进行了数值模拟,得到其非定常水膜流态分布。  相似文献   
10.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.  相似文献   
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