首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1831篇
  免费   935篇
  国内免费   339篇
化学   425篇
晶体学   48篇
力学   101篇
综合类   57篇
数学   64篇
物理学   2410篇
  2024年   11篇
  2023年   44篇
  2022年   43篇
  2021年   48篇
  2020年   32篇
  2019年   53篇
  2018年   40篇
  2017年   82篇
  2016年   70篇
  2015年   71篇
  2014年   163篇
  2013年   116篇
  2012年   129篇
  2011年   149篇
  2010年   187篇
  2009年   163篇
  2008年   174篇
  2007年   148篇
  2006年   157篇
  2005年   152篇
  2004年   152篇
  2003年   130篇
  2002年   115篇
  2001年   109篇
  2000年   78篇
  1999年   62篇
  1998年   53篇
  1997年   52篇
  1996年   49篇
  1995年   40篇
  1994年   53篇
  1993年   45篇
  1992年   34篇
  1991年   27篇
  1990年   33篇
  1989年   16篇
  1988年   14篇
  1987年   6篇
  1986年   3篇
  1985年   2篇
排序方式: 共有3105条查询结果,搜索用时 328 毫秒
1.
杜园园  姜维春  陈晓  雒涛 《人工晶体学报》2021,50(10):1892-1899
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×1010 Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10-3 cm2/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。  相似文献   
2.
3.
对纯电感电路,中等职业学校教材是这样分析“uL=-eL”:电路图如图1所示,假定通过线圈的电流是按初相等于零的正弦交流电,即i=Im sinωt,它将产生自感电动势eL,根据图1所假定的电压uL、小自感电动势eL、电流i的正方向,运用基尔霍夫回路电压定律,沿回路顺时针(或逆时针)方向绕行一周,  相似文献   
4.
基于LabVIEW的高温超导材料特性测试实验   总被引:4,自引:1,他引:3  
高温超导体临界特性的测量是近代物理实验中最为经典的实验之一,本文通过使用GM制冷机,利用Lab-VIEW虚拟仪器软件和高性能采集卡,改进了传统的测量高温超导材料临界特性的实验装置.本测试系统不仅可以测量高温超导体在不同温度下的临界电流,还可以测量其失超传播特性.该实验对于学生了解超导体特性和培养严谨的科学作风十分有益.  相似文献   
5.
通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。  相似文献   
6.
通过重离子核反应与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区的双奇核136La的高自旋态进行了研究, 所用核反应为130Te(11B,5n). 实验结果扩展了136La的能级纲图, 包括3个集体转动带, 最高自旋态达20h. 对于\uppi h_{11/2}\otimes \upnu h_{11/2}$~带, 观测到了旋称反转与集体回弯现象. 通过系统学比较, 对旋称反转特性进行了讨论. 由推转壳模型的计算指出, 此集体回弯是由一对中子的角动量顺排引起的. 另外两个集体带为具有~$\gamma\approx -60^\circ$~的扁椭形变带, 其可能的组态为: $\uppi h_{11/2}\otimes \upnu g_{7/2}h_{11/2}^2$~与~$\uppi g_{7/2}\otimes\upnu g_{7/2}^2 d_{5/2} h_{11/2}^2$.  相似文献   
7.
偏振分束器对光学电流传感器稳定性的影响   总被引:11,自引:3,他引:8  
采用偏振光学理论,详细分析了光学电流传感器中偏振分束器消光比的变化对传感器性能的影响,得到了偏振分束器消光比与传感器输出的关系式,并用系统实验进行了验证.理论及实验结果的吻合证明了光学电流传感器稳定性直接受偏振分束器两路消光比影响的结论.  相似文献   
8.
风力发电机组变速恒频控制系统研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
全面介绍了一种最新应用于风力发电中的新型电机—无刷双馈电机,并分析了这种新型电机作变速恒频运行的原理并对这种电机进行了动态特性仿真研究,给出了形式简洁的控制方程和易于实现的控制方案。  相似文献   
9.
修饰态布居的选择性激发对无反转激光的作用   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
王振华  胡响明 《物理学报》2004,53(8):2569-2575
以三能级V型系统为例研究修饰态布居的选择性激发对无反转激光增益的作用. 当非 相干驱动场的频谱宽度远小于驱动场产生的修饰态能级的间距时,非相干驱动场只将一个修 饰态的布居抽运至激发态. 借助原子的衰减通道,系统中形成单向布居转移通道,从而建立 修饰态布居的选择性激发. 利用修饰态布居的选择性激发,可以摆脱裸态共振无反转激光的 三个限制: (1) 不再要求辅助的低频驱动跃迁比高频激光跃迁具有更高的衰减速率;(2) 显 著降低非相干激发速率的阈值;(3) 无反转激光的线性增益不再反比于相干驱动场的强 关键词: 修饰态布居的选择性激发 无反转激光增益 原子衰减速率 非相干激发阈值速率  相似文献   
10.
 将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号