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Ce3+—高分子络合物发光的激发过程 总被引：1，自引：0，他引：1
本文研究了Ce3+-PMMA及Ce3+—PMA18·C·6两个高分子络合物发光材料的荧光激发过程以及激发过程与高分子结构的关系。通过荧光寿命、荧光光谱以及时间分辨光谱分析表明,在Ce3+—PMMA络合物体系中,Ce3+的荧光发射主要是来自高分子配体的能量传递,而对于Ce3+—PMA18·C·6粉末络合物体系,Ce3+发光的能量主要是来自入射光的直接激发。文章对上述两个稀土高分子络合物的激发机制的差异也做了较为详细地描述。 相似文献
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首次报道了射频磁控溅射ＣａＳ：ＴｍＦ３薄膜的蓝色交流电致发光，电致发光谱包含位于４８０、６５３、７０３和８０３ｎｍ的四组发光峰，分别对应着三价Ｔｍ＾３＋离子的Ｇ４→＾３Ｈ６、Ｇ４→＾３Ｈ４、＾３Ｆ３→＾３Ｈ６和＾３Ｆ４→＾３Ｈ６的电子跃迁发光。通过对ＣａＳ：ＴｍＦ３粉末的激发光谱的研究，我们发现由于蓝峰和红外峰的激发峰的能量不同导致没能量的光子激发下的光的研究，谱的红外／蓝峰的哟度比有较大的不同， 相似文献
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利用He-Cd激光器的441.6 nm线光解Cs2分子, 使Cs(n2L)(nL=7P, 6D)态得到布居, 在Cs密度1到9×1015 cm-3范围内测量原子荧光对分子荧光强度比, 得到碰撞转移率系数对解离率之比分别为2.9×10-17和7.4×10-18 cm3. 测定Cs nLJ对nLJ'荧光分支比, 得到72P, 62D态精细结构解离率之比分别为0.53和0.43. 从远翼激发得到的精细结构转移截面与从其他激发过程得到的截面结果相符, 给出了碰撞转移到6D态外(即Cs(6D)+Cs(6S)→Cs(6D)以外的态)的截面为1.9×10-14 cm2. 相似文献
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