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大面积高深宽比硅微通道板阵列制作   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明,相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术,光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.  相似文献
2.
介绍了制备某太赫兹频率真空辐射光栅的超厚胶光刻工艺,针对工艺中的难点(大厚度和高深宽比)展开了深入分析。实验分析了基片处理、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影等工艺过程对光刻的影响,通过优化工艺参数,解决了胶膜脱落、开裂,不同胶层间的结合,光栅沟槽间的光刻胶残留等问题,成功制备了厚度为700μm、深宽比为14的侧壁陡直、表面平整的双光栅结构胶膜。  相似文献
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搭建了微槽道的单相实验台,分析了氮气在不同深/宽比、长径比及水力直径的微槽道中流动特性。层流区的摩擦常数与理论预测值吻合较好(除L=20mm工况),层流到湍流的转捩均有不同程度的提前(转捩Re数在1000左右);在湍流区,槽道的长径比变小、相对粗糙度的增大(或水力直径的减小)及长度的减小可使流动阻力增大;拟合出了湍流区微槽道的几何参数与摩擦常数的关联式。  相似文献
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