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1.
氧化锌可见区发光机制   总被引:34,自引:14,他引:20  
探究与缺陷相关的氧化可见区发光机制对获得高效激子发光和实现紫外激光有重要的意义,也是该领域研究的基本问题之一,本文用X射线衍射、X射线光电子能谱,电子顺磁共振和光致发光谱研究了ZnO:Mn纳米薄膜的结构和发光性质,证明了氧空位或缺陷分布于纳米晶表面,提出了可见发光中心是Vo^**和[Vo^*,electron]或[Vo^**,two electrons]复合体的发光模型。  相似文献
2.
ZnO薄膜的制备和发光特性的研究   总被引:31,自引:12,他引:19  
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜,在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱。探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响,从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位,以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。  相似文献
3.
阴极射线激发下ZnO薄膜室温紫外发光的超线性增长规律   总被引:26,自引:8,他引:18  
郭常新  傅竹西 《发光学报》1998,19(3):239-241
研究了直接溅射ZnO薄膜在阴极射线激发下紫外光(约390nm)和绿光(约520nm)的发光与激发电子束电流密度的关系。随激发电流密度增加绿光相对下降,紫外光相对增强,使得ZnO薄膜的发光颜色从绿变蓝紫,ZnO薄膜绿光随电子束流密度的增长呈亚线性增长,并在不高的束流密度下达到饱和,而紫外发光随电子束流密度呈超线性增长,这是ZnO薄膜在室温阴极射线激发下紫外受激发光的迹象,是高密度激发下的一种超辐射受  相似文献
4.
MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性   总被引:22,自引:4,他引:18  
近年来,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响;观察了样品的室温光致发光光 谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。  相似文献
5.
Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性   总被引:20,自引:7,他引:13  
利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其湿度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带(290nm),并初步指定其来源。  相似文献
6.
纳米微晶结构ZnO及其紫外激光   总被引:20,自引:0,他引:20  
本介绍了的年来研制Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径——ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别:即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射,它将是继Ⅱ-Ⅵ族硒化物和Ⅲ-Ⅳ氮化物之后的新型半导体激光器材料。  相似文献
7.
射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性   总被引:17,自引:5,他引:12  
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释。  相似文献
8.
纳米氧化锌粉体的制备及发光性质的研究   总被引:17,自引:3,他引:14  
采用沉淀法制备纳米ZnO粉体,探讨了晶粒尺寸与反应浓度和热处理温度的关系,并对所得到的纳米ZnO粉体的发光性质进行了研究,对不同温度热处理的样品的发光性质做了比较。ZnO的可见发光机制的解释一直未有定论。一部分作者认为绿光是由氧空位引起的;另一部分认为是锌空位造成的。本文的实验结果揭示了可见发光的内部过程,肯定了双声子参与的发光过程,支持了绿色是由锌空位造成的这一观点。此外,用230nm以下波长激发样品时,可见发光的行为明显不同于用325nm以上的波长去激发同一样品时的发光情形。实验表明高能激发,样品能发白光,因此,用ZnO做白光二极管是可能实现的。  相似文献
9.
氧化锌薄膜光电功能材料研究的关键问题   总被引:16,自引:3,他引:13  
傅竹西  林碧霞 《发光学报》2004,25(2):117-122
氧化锌薄膜光电功能材料是近年来新发展起来的研究课题,由于它在短波长光电信息功能材料方面具有潜在的应用前景而备受关注。为了开发ZnO结型光电器件,目前首先需要解决高质量ZnO单晶薄膜的外延及p型掺杂等关键问题。综合国内外的研究结果,结合我们的工作,叙述了利用多晶格匹配原理通过过渡层在Si衬底上异质外延高质量ZnO薄膜,介绍了用SiC作过渡层生长ZnO薄膜的有关问题。对ZnO的p型掺杂,分析了制备p型ZnO的困难和利用Ⅲ-Ⅴ族共掺杂方法生长p型ZnO的作用和优点。  相似文献
10.
ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响   总被引:13,自引:9,他引:4  
利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/p-Si异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E1=Ev 0.21eV,E2=Ev 0.44eV,E3=Ev 0.71eV;而1000℃退火样品仅存在一个E1=Ev 0.21eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱,发现1000度退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。  相似文献
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