一维光子晶体材料中的光学传输特性

研究了光在一维周期性介电材料中的传播特性，指出传统的高反膜只是光子晶体的一个特例，从而从光子晶体的角度对多层膜系的设计提出了一条新的思路，同时研究了材料的介电常数以及结构与高反带带宽之间的关系。最后通过在多层膜中引入掺杂（中间一层被另一种介质所代替），得到第一能隙中掺杂模式的频率与掺杂材料的介电常数之间的对应关系，由此提出一种精确测量介质介电常数的方法。  

一维光子晶体掺杂缺陷模研究

用特征矩阵法计算了光波在包含多种掺杂缺陷的一维光子晶体中的传播规律，与不包含缺陷的结构相比较，在禁带中形成缺陷模。缺陷模的位置、数目和强度不仅和缺陷的产生方式有关，还和缺陷位置处的光学厚度及折射率的变化有关。当掺杂缺陷的位置呈等间距时，相应缺陷模也呈等间距排列。随着掺杂缺陷光学厚度的变化，缺陷模的位置、数目也随之变化。保持掺杂缺陷光学厚度不变，掺杂缺陷折射率的变化将会引起缺陷模强度的变化，并存在一个最大值。缺陷模的出现一般使带隙加宽，尤其是掺杂介质的折射率与周期介质的折射率差别较大时更加明显。掺杂空气介质时可使缺陷模的透射率近似为1。  

稀土元素掺杂长余辉发光材料研究的最新进展

介绍了长余辉材料的历史和近几年的发展。对长余辉材料中的一些问题，如余辉机理等进行了总结和探讨。从稀土元素变价化学的角度出发讨论了稀土离子在长余辉材料中的作用，介绍了长余辉材料设计的一些想法。提出了对长余辉材料今后发展的看法。  

稀土掺杂的纳米发光材料的制备和发光

概述了用溶胶-凝胶法制备的纳米Y2SiO5：Eu及燃烧法合成的纳米Ln2O3：Eu(Ln=Y，Gd)的发光性质,包括它们的激发光谱、发射光谱、荧光寿命,以及这些性质随颗粒尺寸的变化。着重介绍了稀土掺杂的纳米发光粉中浓度猝灭受到抑制的现象,认为这一特性为纳米发光材料的实际开发应用展示了广阔的前景。文中还对X1型Y2SiO5：Eu纳米粉中的不同发光中心的发光，和它们之间的能量传递作了讨论。  

稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应

过去十多年来，具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高，且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应，因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面，锰氧化物是典型的强关联电子体系，它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构，简单介绍了其他一些庞磁电阻材料；随后综述了锰氧化物的电荷／轨道有序相及其输运性质；在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制；最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用，如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p-n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。  

铕-苯甲酸-邻菲咯啉掺杂配合物体系的合成与荧光性能研究

合成了Eu1-xLn（BA）3Phen（Ln：Gd，La，Y；BA：苯甲酸；Phen：1，10-邻菲咯啉）系列固体粉末配合物。红外光谱的研究表明该系列配合物具有相似的结构；荧光光谱表明该类配合物均能发出强的铕离子的特征荧光，并且掺杂元素能增强配合物的发光性能，起到共发荧光作用。  

Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究

采用第一性原理的超软赝势方法，研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明，Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现，Zn 4s态决定导带底的位置，Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因.  

大功率部分端面抽运混合腔板条激光器

在半导体抽运的全固态激光器中，激光晶体上的热畸变限制了激光器在大功率下输出时保持高光束质量的能力。板条结构的固体激光器具有优异的散热能力，再配合部分端面抽运以及稳一非稳柱面混合腔的使用，使大功率高光束质量的激光输出成为可能。在德国EdgeWave GmbH进行的对这一技术的合作研究中，利用不到100mm的腔长，在Nd：YVO4板条激光器上获得了110W近衍射极限的1．06μm连续激光输出，这时在非稳腔方向上的光束传播因子M^2为1．3。在稳腔方向上为1．5。通过对输出激光进行空间滤波切除腔镜造成的衍射旁瓣后，50W输出时M^2的典型值在非稳腔和稳腔方向上分别为1．09和1．2。  

稀土锰氧化物的低场磁电阻效应

具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进展和存在的一些问题。全文分三个部分，首先概述了基于自旋极化散射和自旋极化隧穿两种输运机制的磁电阻理论；然后重点介绍掺杂稀土锰氧化物低场磁电阻增强的主要研究进展，这些进展背后的基本物理图象是通过人为引入自旋无序介质形成自旋极化散射和自旋极化隧穿，从而增强其低场磁电阻；第三部分讨论了基于掺杂稀土锰氧化物的磁性隧道结制备和输运性质。本文最后提出了锰氧化物低场磁电阻增强研究应该关注的一些物理问题。  

掺Yb3+双包层光纤激光器的实验研究

采用自行研制的掺Yb³⁺双包层石英光纤和包层泵浦技术,对不同光纤长度的双包层光纤激光器的输出特性进行了实验研究.对实验中的最佳吸收长度问题做了分析,并讨论了引起激光波长随长度变化的原因.