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1.
外加电场极化法制备LiNbO3周期性畴反转的工艺研究   总被引:14,自引:7,他引:7  
对用外加电场极化法实现铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体(PPLN)的工艺进行了研究,首先采用光刻工艺技术在Z切厚度为0.5mm的LiNbO3晶体的正畴面和负畴面上刻蚀出与掩膜板完全对应的金属Al电极,然后在两极上施加一系列的脉冲电压;在实验研究中,通过控制脉冲幅度,脉冲宽度,脉冲个数和脉冲电流,确定了最佳实验参量,并成功地制备出周期为9.5um的三阶准相位匹配铁电畴周期性极化反转LiNbO3晶体。  相似文献
2.
激光直写光刻中线条轮廓的分析   总被引:14,自引:10,他引:4       下载免费PDF全文
考虑了光刻胶对光吸收作用,在已有描述胶层内光场分布模型的基础上,较为准确地推导出光刻胶层内不同深度位置的光场分布.使用迭代方法计算得到了胶层内曝光量空间分布曲线,分析了不同曝光量下胶层内的线条轮廓,为直写光刻中曝光量的选择提供了依据.实验结果分析与理论分析的结果一致.  相似文献
3.
液晶实时掩膜技术制作连续微光学元件   总被引:13,自引:4,他引:9  
提出制作连续微光学元件的一种新技术———液晶实时掩膜技术 ,阐述了其基本原理和制作方法。基于部分相干光成像理论 ,采用计算机模拟了用实时掩膜制作微透镜和微轴锥镜阵列的过程。同时建立了实验装置进行实验 ,用全色银盐干板 (Kodak 131)通过酶刻蚀得到口径为 118.7μm ,深为 1.32 2 μm的 5 6× 48的轴锥镜的列阵。  相似文献
4.
全息离子束刻蚀衍射光栅   总被引:13,自引:0,他引:13  
徐向东  洪义麟  傅绍军  王占山 《物理》2004,33(5):340-344
全息离子束刻蚀衍射光栅集中了机械刻划光栅的高效率和全息光栅的无鬼线、低杂散光、高信噪比的优点.全息离子束刻蚀已作为常规工艺手段应用于真空紫外及软x射线衍射光栅的制作.文章对全息离子束刻蚀衍射光栅的制作方法、主要类型、研究现状和应用进行了综述.  相似文献
5.
直角坐标和极坐标系一体的激光直写设备   总被引:12,自引:4,他引:8       下载免费PDF全文
介绍了具有直角坐标和极坐标写入系统的激光直写设备,给出了该设备制作衍射光学元件的光刻特点.  相似文献
6.
50 nm分辨力极端紫外光刻物镜光学性能研究   总被引:11,自引:7,他引:4  
李艳秋 《光学学报》2004,24(7):65-868
极端紫外光刻 (EUVL)作为实现 10 0~ 32nm特征尺寸微细加工的优选技术 ,其光刻物镜的光学性能是实现高分辨图形制作的关键。利用光学设计软件CODEV对 6枚非球面反射镜构成的光刻物镜设计和光学性能分析 ,其分辨力可以实现 5 0nm ,曝光面积为 2 6mm× 1mm。结果表明 ,光学性能对曝光场点的依赖关系。在全曝光场中进行了光学性能分析 ,其最大畸变为 3.77nm ,最大波面差为 0 .0 31λ(均方根值 ) ,该缩小投影物镜完全可以满足下一代极端紫外光刻机的性能要求  相似文献
7.
基于数字微反射镜灰度光刻的成像模型   总被引:10,自引:9,他引:1       下载免费PDF全文
在深入探讨DMD(Digital Mirror Device)灰度图形传递的特点基础上,把曝光量分布作为分析数字光刻成像的物理量,建立了数字灰度光刻的成像模型.以制作微米量级微透镜为例,通过模拟分析,讨论了数字光刻过程中DMD的工作方式、成像系统参量对抗蚀剂曝光量分布的影响,揭示了数字灰度光刻成像机理,为开展数字光刻实验研究提供了理论根据.  相似文献
8.
纳米光刻技术   总被引:9,自引:0,他引:9  
纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心。纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一,其制作技术是整个纳米技术的核心基础,已成为当前世界科学研究急需解决的问题。文章针对上前的科技发展情况,介绍了几种纳米光刻技术的实现新途径、发展现状和关键问题。详细阐述了波前工程、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻原子光刻、干涉光刻、极紫外光刻以及157光刻的原理和实现难点。作为下一代各种光刻技术,它们都有望实现  相似文献
9.
四激光束干涉光刻制造纳米级孔阵的理论分析   总被引:9,自引:5,他引:4       下载免费PDF全文
张锦  冯伯儒  郭永康 《光子学报》2003,32(4):398-401
为提供一个在大范围内曝光出深亚微米甚至纳米级周期性密集图形的廉价的方法,研究了四激光束干涉光刻的原理,分析了干涉曝光的结果,并进行了计算机模拟.用现有的光源,如442 nm、365 nm、248 nm、193 nm激光,曝光得到的图形的临界尺寸容易做到180~70 nm.具有实际上无限制的焦深和容易实现的大视场.适合硅基CCDs、平场显示器的场发射电极阵列等光电子器件中大范围内超亚微米级的周期性孔阵或点阵结构图形的制作.  相似文献
10.
原 子 光 刻   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
介绍了根据量子光学的最新成果——激光冷却和捕陷中性原子的原理而发展出的一种新型纳米级刻印技术——原子光刻.介绍了该项技术的基本原理、总体方案、单元技术及刻印结果,将这项新技术与其他微刻印方法进行了比较,展望了其应用于微电子学等领域的前景.  相似文献
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