极紫外(EUV)光刻胶树脂及合成方法进展

极紫外光刻(EUVL)是实现22 nm及以下节点集成电路制造最为高效的工艺技术。本文介绍了EUV光刻胶树脂的结构特点及其对光刻性能的影响,并着重整理了近年来化学增幅型和非化学增幅型EUV光刻胶树脂的合成方法。最后,对EUV光刻胶树脂的结构设计进行了分析与展望。     

用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)

此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术（ILT）。在论文中将讨论有关ILT的最新发展，包括在超成像极限协助图样（SRAF）的生成，可增加制程宽容度的ILT，以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面。从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出，ILT已经不再只是一种用于研究的工具，而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产。在对各个环节优化之后，ILT可以增加制程的宽容度，同时将光罩的成本控制在可以接受的水平。     

基于严格电磁场模型的光学光刻仿真

光学光刻技术已广泛应用于微电子机械系统（MEMS）以及集成电路（IC）领域。由于光刻工艺设备的价格十分昂贵,因此利用光刻仿真这一技术来预期工艺结果并优化工艺中存在的问题就显得很有必要。研究了一种基于严格电磁场模型的求解方法波导方法,并将此方法拓展应用于模拟MEMS领域中的厚胶曝光场景。通过这一模型,可以模拟光刻胶内部的光强分布,并进一步预测出显影后的光刻胶形貌。最后,针对某些特定掩模版结构,给出它们的仿真结果并验证其正确性。     

花状纳米金结构阵列的工艺制备与拉曼增强研究

基于纳米球光刻技术制备了一种花状纳米金结构阵列,经过PS509 nm球旋凃和ICP氧刻蚀,再通过镀金膜与高温退火工艺,纳米球阵列的表面被粗糙化,进而形成了一种鳞状的花状阵列 。FDTD仿真结果表明,制备的这种阵列具备很高的电磁场增强特性,主要的增强集中于纳间隙的边缘处。以罗丹明 6G染料为探针分子测试基底的拉曼效应,与金基底的拉曼信号相比,该纳米结构阵列拉曼增强效应明显,对罗丹明 6G的检测极限达到了10-6 mol/L的水平。     

用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)

此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT).在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT, 以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面.从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出,ILT已经不再只是一种用于研究的工具,而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产.在对各个环节优化之后,ILT可以增加制程的宽容度,同时将光罩的成本控制在可以接受的水平.     

构建相干长度之外的激光干涉仪

用于微型光刻技术中的多数紫外线(UV)或深紫外线激光器,无论是基于气体的准分子或二极管泵浦固态 (DPSS) 激光器, 其输出频谱均较宽.与此同时, 能传送紫外或深紫外光的多数光学材料均具有较高度频散性(即它们的折射率,n(λ), 随波长λ变化) .在这种情况下构建一台紫外干涉仪比那拥有狭窄光谱的激光和几乎恒定折射率的光学材料的情况要复杂得多.本文描述一项激光干涉技术,据此可以补偿光学材料的高频散性,从而构建传统意义上所定义的相干长度之外的激光干涉仪.给出理论上的陈述,并提供初步实验结果.本文最后讨论了此情况下干涉条纹的对比度、激光相干长度, 以及如何控制光源的时域不稳定性和空间不均匀性的方法.     

自由曲面光学透镜平滑DMD扫描光刻图形边缘

数字微镜阵列扫描曝光图形在某些方向的边缘存在约一个像素的锯齿,对此设计自由曲面光学透镜,将其安装在距离数字微镜阵列窗口玻璃1mm附近,使微镜阵列成像线性错位,在保持原有线宽和光刻效率的情况下,平滑曝光图形边缘.理论分析了微镜阵列成像线性错位形式及其表达式.根据物像映射原理,用Matlab软件计算出自由曲面光学透镜面形初始数据,通过Zemax软件优化得到理想透镜模型,模拟了安装该透镜模型前后曝光图形效果.结果表明:在±2μm容差范围内,安装该透镜且曝光总能量为原来的0.9倍时,曝光图形的横线边缘锯齿由0.14个像素缩小至0～0.01个像素,斜线边缘锯齿由0.338个像素缩小至0.110～0.125个像素,且线长变化范围为-0.153～0.05个像素,线宽变化范围为-0.058～0.153个像素,变形范围不影响10～30μm pcb板的制作精度.该方法可同时提高能量利用率,降低光源成本.     

一种自组装的长程有序纳米模式

根据Moore定律,微处理器的能力可以按指数方式快速提高,数据存储能力的提高也以相似的方式增长,所以这已经成为进一步提高光刻技术的关键点.尖端光刻技术已经允许器件的特征长度可以比用来制作它们的光波波长还要短.例如,相干效应可被用于具有超紫外光线特性的50nm模式上[1].但是想要继续在成本与效益方面有所改善,可能性很小,所以Moore定律与光刻技术将会不可避免地分道扬镳.