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介绍了一种高能材料动静态变温三轴压缩试验装置,在熔点以下温度,通过对国产单质炸药TNT在中等应变速率(2-4/s)及准静态(3×10-3/s)条件下三轴压缩力学性能的测试,得出TNT的杨氏模量E、泊松比ν和屈服极限Y,以及当加载速率和温度改变时这些参数的变化规律。并提出三轴应力状态下屈服极限的一种确定方法。该三轴压缩试验装置以及三轴压缩应力状态下力学参数的测试、分析、处理系统为研究高能材料力学性能提供了一套完整的技术和手段。 相似文献
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本文使用表面直接氟化改性来改善有机玻璃的弯曲疲劳性能。测试了改性前后有机玻璃的断裂韧性与弯曲强度,重点研究了不同缺口形式的有机玻璃在改性前后的弯曲疲劳性能变化并分析了疲劳裂纹扩展过程。弯曲疲劳寿命的测定结果表明有机玻璃的疲劳性能在表面直接氟化改性后得到明显改善,表面氟化层的结构约束效应是有机玻璃疲劳寿命提高的主要原因。此外,在疲劳断裂面上观察到规律性的条纹带形貌,疲劳条纹带的形成与裂纹尖端银纹区的产生具有一定的联系。表面直接氟化改性后疲劳条纹带扩展速率的降低也充分证明了有机玻璃疲劳寿命的提高。研究结果证明,表面直接氟化改性修复是一种提高有机玻璃疲劳性能的可行方法,对有机玻璃的工业使用具有指导意义。 相似文献
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本工作合成了以聚α-甲基苯乙烯(PαMS)为硬段、聚丁二烯(PBD)及氢化聚丁二烯(HPBD)为软段的两种ABA型三嵌段共聚物。研究了其合成方法、结构与性能,虽然这两种三嵌段共聚物软段T_g相近,均在-25℃左右,但由于氢化聚丁二烯的溶度参数很高,与聚α-甲基苯乙烯的相容性大,以致PαMS-HPBD-PαMS的断裂伸长,断裂强度及回弹性和硬段T_g均较之PαMS-PBD-PαMS有明显下降。 相似文献
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共晶基陶瓷复合材料的强度模型 总被引:3,自引:0,他引:3
根据细观结构内界面的强约束特性,通过纤维-基体内界面切应力确定了共晶陶瓷棒体的细观应力场.然后分析了两相界面处位错塞积产生的应力集中,获得基体内的最大应力,当最大拉应力等于基体理论断裂强度时,得到共晶棒体的断裂强度的解析表达式.考虑共晶陶瓷棒体长度和方位的随机性,根据概率理论得到共晶陶瓷基复合材料的宏观强度的理论模型.结果表明复合材料的宏观强度与亚微米纤维的直径和长度、以及亚微米纤维、基体、共晶陶瓷棒体的弹性常数有关.理论与实验结果十分接近,说明文中理论模型是合理的,同时证明了共晶界面对陶瓷复合材料的重要影响. 相似文献
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结构元件疲劳断裂可靠性估算方法 总被引:9,自引:0,他引:9
对近年来国内外在元件疲劳断裂可靠性估算方法方面所做的研究作了系统的回顾和讨论,按安全裕量方程将其分为三类:裂纹长度模型、疲劳寿命模型和断裂强度模型,并对这三种模型的特点及局限性作了分析论述,对元件疲劳可靠性分析的发展趋势作了讨论. 相似文献
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由CVD方法制备的石墨烯含有大量的晶界,通常还带有许多褶皱,本文通过分子动力学方法研究了具有褶皱和晶界的石墨烯 平面拉伸断裂行为,结果显示,在垂直晶界方向,褶皱能够显著提高小角度双晶石墨烯的断裂应力,断裂应力增幅最 大约为50%,褶皱对断裂应力的影响随晶界角的增大减弱,导致双晶石墨烯断裂应力对晶界角不敏感,只略低于单晶石墨 烯,和实验结果完全吻合;在沿晶界方向,褶皱对双晶石墨烯断裂应力影响不明显. 另外,褶皱可以显著提高双晶石墨烯的断 裂应变,增幅最大约为100%. 增强机制归纳主要如下:通过面外变形,褶皱可以部分释放晶界5-7环中C---C键的预拉伸变形, 提高双晶石墨烯的断裂应力;褶皱可以降低相邻5-7环之间相互作用,导致断裂应力对晶界角不敏感;在拉伸作用下,褶皱被部分 拉平,这可以显著降低C---C键面内拉伸变形,导致断裂应变显著增大. 本研究为准确理解多晶石墨烯断裂行为提供重要帮助. 相似文献
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用嵌入原子势(embedded atom method)计算镍单晶的力学性质.镍单晶沿[100]方向受单轴外力作用,当外力为压应力时,其结构发生转变,产生一个不稳定的BCC结构相;为张应力时,镍单晶产生均匀形变,其形变达9.03%时材料断裂,相应的理论断裂强度为0.442×10~(11)dyn/cm~2,计算结果与实验结果基本一致。由计算结果进一步说明嵌入原子势能很好地计算非平衡态的物理性质。 相似文献
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纳米孪晶纯铜的强度和导电性 总被引:2,自引:0,他引:2
强度和导电性是金属材料的两个至关重要的性能.常用的金属材料强化方式往往是在提高强度的同时使材料的导电性能明显损失,文章介绍了采用脉冲电解沉积技术制备出具有高密度孪晶片层结构的纯铜薄膜.这种具有纳米尺度的孪晶片层结构的纯铜材料不仅具有非常高的拉伸强度,同时还具有非常高的导电性.拉伸实验表明,当孪晶片层平均厚度小到15nm时,样品的拉伸屈服强度可达900MPa,断裂强度高达1068MPa(约为普通纯铜的10倍以上),并具有与无氧高导铜相当(97%IACS)的室温电导率. 相似文献
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