镍中氢与缺陷互作用的正电子寿命和多普勒展宽研究

采用正电子寿命和多普勒展宽技术研究了退火、回复及冷轧镍中氢与缺陷的互作用．结果表明：冷轧镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数上升，并且寿命谱的两成分拟合出现一个390ps的长寿命分量；而退火及回复镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数均不改变．因此认为冷轧镍充氢后正电子参数（平均寿命和S参数）的上升取决于氢和空位的互作用，与氢和位错的互作用无关；氢空位对也可以作为聚集空位的核心 关键词：     

First-Principles Study on the Electronic Structures for Y^3＋：PbWO4 Crystals

The possible defect models of Y^3＋：PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3＋ ions are studied by using the general utility lattice program （GULP）. The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3＋ ：PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^＋ ＋ VPb^2-], and in the heavily doped Y^3＋ ：PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^＋, forming defect clusters of [2Ypb^＋ ＋Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3＋ ：PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal.     

用紧束缚方法描述光子晶体缺陷耦合的共振频率移动

通常采用含两个耦合参数的紧束缚近似，就能很好地描述光子晶体缺陷因耦合而导致的共振频率分裂.然而，缺陷耦合造成的共振频率移动，即包含奇数个缺陷的耦合系统的中央共振频率位置与原来单缺陷时的共振频率位置存在差异，则只有采用含三个耦合参数的严格紧束缚方法才能正确描述.根据耦合参数与共振频率的关系，利用三缺陷耦合系统的模拟计算结果确定了三个耦合参数的具体值，从而在理论上能够预言由任意个缺陷构成的耦合系统的共振频率的移动和分裂.理论预言与基于有限时域差分法的数值计算完全相符.     

倍半氧化物晶体及其1～3μm波段激光性能研究进展

倍半氧化物具有优异的热学性能、稳定的物化性能、低的最大声子能量和强的晶体场，是理想的高功率、大能量激光基质材料。倍半氧化物具有超高熔点，因此其高质量、大尺寸的晶体制备极其困难，研究人员对此进行了长期的研究探索。近年激光技术发展对高品质倍半氧化物单晶的迫切需求促使相关晶体的生长技术取得了突破。本文在简单介绍倍半氧化物性能与结构的基础上，详细综述了Lu₂O₃、Sc₂O₃、Y₂O₃倍半氧化物晶体的生长方法及缺陷种类，系统总结了稀土离子掺杂的倍半氧化物在1～3μm波段内的激光性能，最后对其未来的研究与发展方向进行了展望。     

富于开拓 锐意创新——记学部委员闵乃本教授

 1991年秋,一位富于开拓、锐意创新的学者,应聘担任了“八五”期间国家基础性研究重大关键项目之一的“光电功能材料的结构、性能、分子设计及制备过程”项目的首席科学家.他就是南京大学物理系教授闵乃本先生.他今年57岁,是我国自己培养的优秀中年科学家.1959年,他毕业于南京大学物理系,后留校任教,师从我国著名物理学家冯端教授.长期以来,闵乃本教授致力于晶体物理学的研究,尤其在晶体缺陷、晶体生长以及晶体物理性能等领域作出了许多开创性的工作.在他30多年的科研生涯中,取得了一系列令人瞩目的卓越成就.     

TAP晶体的结构与缺陷对其结晶习性的影响

本文采用实验观测的方法，观察了ＴＡＰ晶体的生长外形特征，分析了ＴＡＰ晶体内部结构特征与生长缺陷产生的原因，指出ＴＡＰ晶体生长外形的特征是由晶体内部结构及生长缺陷所决定的。