首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14471篇
  免费   1953篇
  国内免费   946篇
化学   14357篇
晶体学   266篇
力学   94篇
综合类   61篇
数学   35篇
物理学   2557篇
  2024年   7篇
  2023年   238篇
  2022年   176篇
  2021年   350篇
  2020年   467篇
  2019年   453篇
  2018年   389篇
  2017年   416篇
  2016年   635篇
  2015年   627篇
  2014年   766篇
  2013年   1358篇
  2012年   921篇
  2011年   960篇
  2010年   810篇
  2009年   857篇
  2008年   838篇
  2007年   965篇
  2006年   888篇
  2005年   908篇
  2004年   878篇
  2003年   647篇
  2002年   308篇
  2001年   260篇
  2000年   266篇
  1999年   195篇
  1998年   205篇
  1997年   240篇
  1996年   180篇
  1995年   201篇
  1994年   133篇
  1993年   127篇
  1992年   110篇
  1991年   90篇
  1990年   86篇
  1989年   49篇
  1988年   66篇
  1987年   46篇
  1986年   30篇
  1985年   27篇
  1984年   47篇
  1983年   18篇
  1982年   33篇
  1981年   18篇
  1980年   18篇
  1979年   24篇
  1978年   8篇
  1974年   5篇
  1972年   5篇
  1969年   4篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
《Mendeleev Communications》2022,32(4):537-539
The two novel conglomerates were obtained by crystallization of racemic (2'S,3aS,6aR)/(2'R,3aR,6aS) (glycoluril-1-yl)-3-methylbutanoic acid and (2'R,3aR,6aR)/(2'S,3aS,6aS) (4,6-dimethylglycoluril-1-yl)pentanoic acid synthesized by highly diastereoselective condensation of 4,5-dihydroxy- imidazolidin-2-ones with racemic ureido acids. The differences in the molecular geometry of synthesized racemates were studied by X-ray diffraction that showed them to crystallize as conglomerates in non-centrosymmetric space groups Pna21 and P212121, respectively  相似文献   
2.
黄鸣  王维 《人工晶体学报》2022,51(4):594-599
光伏产业的发展使得对硅材料的需求日益增加,同时硅单晶生产行业竞争也日趋激烈。作为生产硅单晶的重要装备,单晶炉的稳定性和可靠性关系到硅单晶生产效率的提升和成本的下降,因此其驱动系统的设计和优化成为装备制造的关键环节。本文以NVT-HG2000-V1型硅单晶生长炉的驱动系统为研究对象,用SolidWorks三维建模实现虚拟装配,采用ADAMS建立其动力学仿真模型,并对驱动系统的运动过程进行仿真模拟。采用控制变量法定量分析了铜套与升降轴的配合间隙及丝杠参数对驱动力和驱动力矩的影响规律,进而在提高硅单晶生长炉装备稳定性和可靠性方面给出合理的技术建议。结果表明,铜套与升降轴的配合间隙达到0.071 mm后能有效降低驱动系统运行所需驱动力矩,丝杠倾斜度、螺纹螺距与螺纹间摩擦系数的增大均会导致驱动系统运行所需力矩大幅增加。  相似文献   
3.
Heteroaryl boronic acids and esters are extremely important and valuable intermediates because of their wide application in the synthesis of marketed drugs and bioactive compounds. Over the last couple of decades, the construction of highly important heteroaryl carbon-boron bonds has created huge attention. The transition-metal-free protocols are more green, less sensitive to air and moisture, and also economically advantageous over the transition-metal-based protocols. The transition-metal-free C−H borylation of heteroarenes and C−X (X=halogen) borylation of heteroaryl halides represents an excellent approach for their synthesis. Also, various cyclization and alkyne activation protocols have been recently established for their synthesis. The goal of this review article is to summarize the existing literature and the current state of the art for transition-metal-free synthesis of heteroaryl boronic acid and esters.  相似文献   
4.
《Mendeleev Communications》2022,32(5):629-631
The Michael–Mannich cascade cyclization of cyano olefins, ethyl 4,4,4-trifluoro-3-oxobutanoate, aromatic aldehydes and ammonium acetate provides convenient stereoselective formation of ethyl 5,5-dicyano-4,6-diaryl-2-hydroxy-2-(trifluoromethyl)piperidine-3-carboxylates with fourstereogenic centers and dialkyl 4,6-diaryl-5-cyano-2-hydroxy-2-(trifluoromethyl)piperidine-3,5-dicarboxylates with five stereogenic centers. Ammonium acetate plays dual role, acting as a base and as a nitrogen source.  相似文献   
5.
晶体硅表面钝化是高效率晶体硅太阳能电池的核心技术,直接影响晶体硅器件的性能。本文采用第一性原理方法研究了一种超强酸-双三氟甲基磺酰亚胺(TFSI)钝化晶体硅(001)表面。研究发现,TFSI的四氧原子结构能够与Si(001)表面Si原子有效成键,吸附能达到-5.124 eV。电子局域函数研究表明,TFSI的O原子与晶体硅表面的Si的成键类型为金属键。由态密度和电荷差分密度分析可知,Si表面原子的电子向TFSI转移,从而有效降低了Si表面的电子复合中心,有利于提高晶体硅的少子寿命。Bader电荷显示,伴随着TFSI钝化晶体硅表面的Si原子,表面Si原子电荷电量减少,而TFSI中的O原子和S原子电荷电量相应增加,进一步证明了TFSI钝化Si表面后的电子转移。该工作为第一性原理方法预测有机强酸钝化晶体硅表面的钝化效果提供了数据支撑。  相似文献   
6.
《Mendeleev Communications》2022,32(1):126-128
3-Aryl-5-methylidene-2-thiohydantoins were constructed in one-pot reaction of aryl isothiocyanates and 3-morpholino- alanine in alkaline medium with the subsequent treatment with boiling hydrochloric acid.  相似文献   
7.
直拉硅单晶的生长过程涉及多场多相耦合与复杂的物理化学变化,其中工艺参数的波动是导致晶体直径不均匀的重要原因,如何实现工艺参数的控制以获得理想的、均匀的晶体直径具有重要的研究意义。本文分析现有控制方法存在不稳定以及控制效果不佳的问题后,提出基于贝叶斯参数优化的无模型自适应控制模型来控制硅单晶生长过程中的晶体直径。首先以坩埚上升速度与加热器的功率作为控制输入参数,晶体直径作为输出,搭建无模型自适应控制模型,并分析算法的稳定性。其次将控制模型进行仿真实验,发现硅单晶直径控制模型中不同的超参数设定会影响控制过程的迭代次数以及控制效果。最后,利用贝叶斯优化超参数的取值范围,并进行最终的仿真实验,结果表明,经贝叶斯参数优化后的控制模型计算快、迭代次数少,输出的晶体直径稳定,同时将生长工艺参数控制在实际生产要求范围内。因此,基于贝叶斯参数优化的无模型自适应控制实现了硅单晶直径均匀稳定的有效控制,具有结合工程背景的实际应用前景。  相似文献   
8.
随着光伏行业的快速发展, 对硅单晶的品质和长晶装备的稳定性的要求也不断提高。直拉法是生产硅单晶的主要方法,通过提高单晶炉副室的高度以扩大单晶硅的生产规模。由于副室高度的大幅增加,且单晶炉提拉头质心相对于旋转轴心有一定距离,对单晶炉整体稳定性有较大影响,从而降低了单晶硅的生产质量。针对此问题,对单晶炉建立可靠的力学分析模型,采用数值仿真方法,对单晶炉整体进行动力学响应分析,计算得到副室高度增加后的单晶炉工作时中钨丝绳下端晶棒的运动规律以及最大摆动幅度,为改进设计提供依据。数值仿真分析表明提高单晶炉副室高度后,提拉头较大的质心偏心是单晶炉提拉系统发生摆动的主要原因。在此基础上提出在提拉头上添加质心调节装置,通过控制系统调节可保证提拉头质心位置在旋转轴线上以降低提拉系统的摆动。  相似文献   
9.
One important prerequisite for the fabrication of molecular functional device strongly relies on the understanding the conducting behaviors of the metal-molecule-metal junction that can respond to an external stimulus. The model Lewis basic molecule 4,4′-(pyridine-3,5-diyl)dibenzonitrile (DBP), which can react with Lewis acid and protic acid, was synthesized. Then, the molecular conducting behavior of DBP, DBP-B(C6F5)3, and DBP-TfOH (DBP-B(C6F5)3, and DBP-TfOH were produced by Lewis acid and protonic acid treatment of DBP) was researched and compared. Given that their identical physical paths for DBP, DBP-B(C6F5)3, and DBP-TfOH to sustain charge transport, our results indicate that modifying the molecular electronic structure, even not directly changing the conductive physical backbone, can tune the charge transporting ability by nearly one order of magnitude. Furthermore, the addition of another Lewis base triethylamine (of stronger alkaline than DBP), to Lewis acid-base pair reverts the electrical properties back to that of a single DBP junction, that is constructive to propose a useful but simple strategy for the design and construction of reversible and controllable molecular device based on pyridine derived molecule.  相似文献   
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号