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1.
忆阻器能够在外加电压下实现高阻态与低阻态的转换,在存储器件及仿神经网络计算等方面有着重要的应用。本文通过在Si衬底上制备得到Pt-Al2O3-Pt的金属-绝缘层-金属结构的忆阻器器件,研究了氧空位对阻值转换性能的影响。利用原子层沉积技术工艺控制生长不同氧空位浓度的Al2O3薄膜,测量并比较其Ⅰ—Ⅴ循环曲线,发现仅有在氧空位浓度较高情况下忆阻器才能够实现在高阻态和低阻态之间的转换。本文实验结果表明氧空位对于实现阻值转换性能有着重要的影响,对生长制备忆阻器器件有着重要意义。  相似文献   
2.
记忆效应之管见王怀亮山西师大化学系041004临汾一、前言记忆效应[1](memoryeffect)是J.A.Berson在1968年提出的,其含义是在一多步的碳正离子重排反应中,用构型上不相同的反应原料,经过首次异裂产生在结构上相同的碳正离子中间体...  相似文献   
3.
利用激光溅射的方法,在射频离子阱中产生并囚禁了Cn^+(n=3,4,5)进而利用了子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点,在其中开展了C^+n同O2的化学反应研究,得到了反应物的速率常数和反应产物分支比,根据热化学计算,分析了反应进行的主要通道。  相似文献   
4.
通过TCH-600氧、氮、氢分析仪在唐钢的实际应用,重点介绍了助熔剂、坩埚、样品熔解及空白和校正过程中应注意的问题,钢铁样品分析条件的选择.  相似文献   
5.
赵玲慧  魏志义  张杰 《物理》2002,31(11):729-732
总结了目前几种可产生兆瓦级(10^6W)峰值功率的飞秒(10^-15s)掺钛蓝宝石激光器的发展状况,分析了这类激光器相应的腔结构,讨论了相关的特点以及在实验上的应用前景。  相似文献   
6.
美国LLNL1995年合成出的代号为LLM-105的高能量密度材料,其化学名称为1-氧-2,6-二氨基-3,5-二硝基吡嗪(2,6-diamino--3,5-dinitropyrazine-1-oxide),分子结构式C4H4N605,分子量216.04,密度为1.913g/cm^3,氧平衡为-37.03%,生成热为-3.1kcal/mole,外观为亮黄色的针状晶体,比TATB的能量约高25%,且有着良好的热安定性,特性落高Dh50=117cm(RDX和HMX的特性落高30-32cm),对静电火花的刺激也很钝感。由于综合性能优异,LLM-105已经引起了国际炸药界的极大兴趣。  相似文献   
7.
采用固相微萃取-气相色谱-质谱联用(SPME-GC-MS)对炼油厂废水中痕量挥发性有机化合物(VOCs)进行了定性分析,简化了预处理过程,总分析时间为1h左右.对比处理前后的废水样品的MS定性结果,为废水处理工艺的评价以及有机物降解机理提供了依据.  相似文献   
8.
分散剂对RF凝胶掺钛过程的影响   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
 以间苯二酚、甲醛和经分散的纳米钛粉为反应前体,利用物理掺杂方法研究了掺钛RF凝胶的制备工艺,并在凝胶过程中以zeta电位 粒径分布测试仪对溶液的粒径分布进行分析测试。实验发现六偏磷酸钠对纳米钛粉的分散性最好,掺杂后凝胶时间明显缩短;分散剂种类和用量对凝胶时间有较大影响,其用量为纳米钛粉量的50~100倍为宜。  相似文献   
9.
电激励O2(1△g)发生器的理论模拟研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 建立了基于分子反应动力学的氧等离子体化学反应模型,该模型包括了电子与氧分子,以及氧原子与氧分子的碰撞反应过程。利用反应动力学理论计算并讨论了电激励O2(1△)发生器的放电参数,发现电子能量应小于2.5eV。电子浓度对O2(1△)产率的影响不大,当放电压力与气体线流速一定时,存在最佳的电子平均能量。  相似文献   
10.
 对氧碘化学激光器的单重态氧发生器(SOG)进行了改进,采用横向射流方式,并对该横向射流式单重态氧发生器的性能进行了检测。实验中过氧化氢碱溶液温度控制在-16℃左右,氯气流量为530mmol/s,He与氯气的流量比为3;采用PS法测量单重态氧分子的产率,吸收法测量氯气的利用率和相对水含量。得出如下结论:在不使用冷阱和分离器的情况下,最高单重态氧分子产率达到58%, 氯气利用率在80%以上,相对水含量小于等于0.5;气体达到最大流量时,发生器仍然能稳定地工作。  相似文献   
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