全文获取类型
收费全文 | 6375篇 |
免费 | 2123篇 |
国内免费 | 3394篇 |
专业分类
化学 | 6288篇 |
晶体学 | 546篇 |
力学 | 607篇 |
综合类 | 156篇 |
数学 | 359篇 |
物理学 | 3936篇 |
出版年
2024年 | 75篇 |
2023年 | 272篇 |
2022年 | 367篇 |
2021年 | 411篇 |
2020年 | 346篇 |
2019年 | 389篇 |
2018年 | 327篇 |
2017年 | 409篇 |
2016年 | 437篇 |
2015年 | 498篇 |
2014年 | 726篇 |
2013年 | 687篇 |
2012年 | 678篇 |
2011年 | 642篇 |
2010年 | 546篇 |
2009年 | 619篇 |
2008年 | 676篇 |
2007年 | 614篇 |
2006年 | 599篇 |
2005年 | 530篇 |
2004年 | 387篇 |
2003年 | 238篇 |
2002年 | 223篇 |
2001年 | 239篇 |
2000年 | 186篇 |
1999年 | 138篇 |
1998年 | 95篇 |
1997年 | 61篇 |
1996年 | 81篇 |
1995年 | 43篇 |
1994年 | 49篇 |
1993年 | 48篇 |
1992年 | 69篇 |
1991年 | 60篇 |
1990年 | 45篇 |
1989年 | 34篇 |
1988年 | 21篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 10篇 |
1983年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
基于校园网的实验管理系统的设计 总被引:2,自引:1,他引:1
主要讨论了应用实验室管理系统的必要性,并从用户需求分析、系统总体设计、功能模块的设计等方面对B/S实验室管理系统的开发进行了详细的阐述。 相似文献
2.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
3.
4.
5.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献
6.
ZHOU Ming-Xiua② YANG Chuna DENG Xiao-Yana YU Wei-Feib LI Jin-Shanb a 《结构化学》2006,25(6):647-652
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S… 相似文献
7.
8.
给出了一种新的二进小波1/f过程模型,从理论上证明了一类谱指数为H的近似1/f过程可通过一簇平稳随机过程产生.由于所提方法利用了1/f过程小波系数的相关性,因而有效地减少了合成1/f过程的谱误差.数值实验结果表明,新模型很好地改进了已有模型. 相似文献
9.
利用微分方程的级数求解方法,分析了两端简支的有限长功能梯度圆筒的轴对称稳态热弹性问题,推导出了稳态温度场与应力场的解析解。分析中采用指数函数模型来描述FGM圆筒中材料性能在厚度方向的连续变化,同时忽略温度对材料性能的影响。另外,论文以金属钼和多铝红柱石制成的功能梯度圆筒为例,给出了稳态温度场和应力场的数值结果。 相似文献
10.
A series of complexes formed between halogen-containing molecules and ammonia have been investigated by means of the atoms in molecules (AIM) approach to gain a deeper insight into halogen bonding. The existence of the halogen bond critical points (XBCP) and the values of the electron density (Pb) and Laplacian of electron density (V2pb) at the XBCP reveal the closed-shell interactions in these complexes. Integrated atomic properties such as charge, energy, polarization moment, volume of the halogen bond donor atoms, and the corresponding changes (△) upon complexation have been calculated. The present calculations have demonstrated that the halogen bond represents different AIM properties as compared to the well-documented hydrogen bond. Both the electron density and the Laplacian of electron density at the XBCP have been shown to correlate well with the interaction energy, which indicates that the topological parameters at the XBCP can be treated as a good measure of the halogen bond strength In addition, an excellent linear relationship between the interatomic distance d(X…N) and the logarithm of Pb has been established. 相似文献