极化子导电到能带导电的转变

采用交流法测量大功率商用钛酸钡(BT)陶瓷加热器的电阻和加热功率随温度的变化关系.结果显示,BT陶瓷的电导特性在80℃附近出现了明显的转变,从低温时的极化子跳跃导电转变为高温时的能带导电,此时,电阻出现极小值,而加热功率出现极大值.     

τ-CHEBYSHEV AND τ-COCHEBYSHEV SUBPSACES OF BANACH SPACES

The concepts of quasi-Chebyshev and weakly-Chebyshev and σ-Chebyshev were defined [3 - 7], andas a counterpart to best approximation in normed linear spaces, best coapprozimation was introduced by Franchetti and Furi^[1]. In this research, we shall define τ-Chebyshev subspaces and τ-cochebyshev subspaces of a Banach space, in which the property τ is compact or weakly-compact, respectively. A set of necessary and sufficient theorems under which a subspace is τ-Chebyshev is defined.     

21世纪最具潜力的新型带隙材料——声子晶体

半导体发展中遇到的极大障碍,使许多研究人员开始研究光子晶体。然而,声子晶体比光子晶体具有更丰富的物理内涵,它是一种新型声学功能带隙材料。研究声子晶体的重要意义在于其广阔的应用前景,而且在研究过程中,还可能发现新现象和新规律,进而促进物理学的发展。一、什么是声子晶体声子晶体的概念诞生于20世纪90年代,是仿照光子晶体的概念而命名的。我们都知道,具有光子禁带的周期性电介质结构功能材料称为光子晶体,光子能量落在光子禁带中的光波将被禁止,不能在光子晶体中传播。通过对光子晶体周期结构及其缺陷进行设计,可以人为地调控光子…     

Sub(L)中的五边形格特征及其数量不等式

五边形结构在刻画格的特征方面具有十分重要作用，应用格论及组合数学的方法讨论了格L与其子格格Sub(L)中所含五边形格之间的数量关系，给出了有限格L的子格格中三个元生成五边形格的充要条件，同时给出了Sub(L)所含不同五边形格数量的一个下界。     

Banach空间上有界可逆线性变换逆变换的结构

Fillmore在[1]中得到一个定理:设A,T是Banach空间X上的线性变换,A有界,若Lat(A) Lat(T)且AT=TA,则T是A的多项式.在本文里,以此作为引理,讨论了Banach空间上可逆线性变换A在什么情况下,A-1可表示为A的多项式.本文最主要的结论是定理3.4:设X是Banach空间,A是X上的有界线性变换,且可逆,则A-1是A的多项式当且仅当A-1是A的局部多项式.     

障碍拟阵图

Let G be a simple graph and T={S :S is extreme in G}. If M(V(G), T) is a matroid, then G is called an extreme matroid graph. In this paper, we study the properties of extreme matroid graph.     

基于改进遗传算法的布局优化子问题

本针对子问题，构造了布局子问题(关于同构布局等价类)的改进遗传算法。将该算法应用于二维布局优化子问题，数值实验表明该算法能够在很好地保持图元的邻接关系的前提下找到子问题的最优解。由于布局优化问题可分解为有限个子问题，所以利用该算法可以找到整个布局优化问题的全局最优解。     

THE EXISTENCE THEOREM OF THE CONE-WEAK SUBDIFFERENTIAL OF SET-VALUED MAPPING

In this paper, the existence theorem of the cone-weak subdiflerential of set-valued mapping in locally convex topological vector space is proved.     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

Exciton—Phonon Scattering in CdSe／ZnSe Quantum Dots

A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots.