压力淬火过程中锗的相结构研究

 应用高压原位差热方法，直接测量了压力下锗的固化参数─—固化温度与过冷度。高压差热信号表明，当压力大于3 GPa时，锗在凝固过程中可能发生结构相变。X射线结构分析表明，在最终的样品中除GeⅠ相外，还形成GeⅢ相和GeⅣ相。     

19.6nm波长类氖锗X光激光光源理论模拟

 波长19.6nm的类氖锗X光激光适合作为诊断激光等离子体界面不稳定性的光源。用经过实验检验的系列程序对预-主短脉冲驱动类氖锗进行了系统的优化设计和理论分析。采用2%~3%的预脉冲强度，6~8ns的预-主脉冲时间间隔，在4×10¹³W/cm²功率密度驱动下, 波长19.6nm增益区的宽度可以超过60μm，增益区的维持时间可以达到90ps。对于16mm长的平板靶，增益系数可达11.8/cm；弯曲靶增益系数可达13.3/cm；单靶小增益长度积可达21.3，单靶就可以获得饱和增益。采用双靶对接，其小讯号增益可达38.4，可以获得深度饱和增益，能满足应用演示所需的X光激光光源。     

山奈黄素荧光分光光度测定痕量锗的新方法

锗与山奈黄素在H3PO4介质中发生配合反应, 形成配合比为2：1的配合物, 此配合物在乙醇溶液中具有很强的荧光强度, λex=438 nm, λem=478 nm. 用山奈黄素荧光分光光度法测定痕量锗, 检出限为0.15 μg/L, 线性范围为1.0～50 μg/L. 高、中、低3种浓度锗的相对标准偏差分别为 0.85%、 2.5%、 2.8%, 加标回收率为95.7%～103.9%.     

An Electro—Optical Modulator Based on GeO2—Doped Silica Ridge Waveguides with Thermal Poling

A Mach-Zehnder electro-optic modulator is designed and fabricated based on upper-clad GeO2-doped silica ridge waveguides with thermal poling.The electro-optic coefficient obtained is about 0.05pm/V and is polarizationinsensitive.An extinction ratio of over 17dB is achieved.The transmission loss of the modulator for the TE mode is 2-3dB higher than that for the TM mode after the poling.     

KrF准分子激光激发掺锗光纤折射率扰动的非线性过程

本文采用了一种简单的功率监测法,观察了KrF准分子激光对掺锗光纤折射率影响的非线性过程。观察到子纤芯折射率扰动过程中非稳定现象、饱和现象和折射率扰动的非线性。     

元素在石墨炉内石墨探针表面上的原子化机理研究：Ⅶ.锗的原子化机理

本文应用Ｘ－射线衍射，Ｘ－射线光电子能谱，俄歇电子能谱和其它一些实验，考察石墨炉升温过程中氟化锗，锗酸钠在石墨探针表面上的形态变化，阐明了它们的原子化机理：ＧｅＦ２与Ｎａ２ＧｅＯ３首先分解为ＧｅＯ２，ＧｅＯ２还原为ＧｅＯ，后者在＞２４００Ｋ热分解产生自由态的锗原子，ＧｅＦ２和Ｎａ２ＧｅＯ３的原子化均源于ＧｅＯ（ｇ）的气相分解。原子化的升温过程中，在１４００－２４００Ｋ ＧｅＦ２和Ｎａ２ＧｅＯ３都产     

钯作基体改进剂FIA－HG－GFAAS法测定锗及其机理研究

采用钯，钯－镁作基体改进剂，ＦＩＡ－ＨＧ－ＧＦＡＡＳ法成功地测定了锗。灵敏度、精密度和分析速度都得到很大的提高。峰值吸收的特征质量８．０ｐｇ，检出限１０．９ｐｇ，相对标准偏差０．３４％，同时探讨了基体改进剂钯的稳定作用机理及锗在石墨管中的原子化机理。