激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性

研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。     

ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。     

掺杂两种荧光染料的有机红光电致发光器件

制作了掺杂rubrene和4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9,enyl)-4H-pyran(DCJTB)两种荧光染料的红光有机电致发光器件。N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine(NPB)和掺杂的Tri-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)分别作为空穴和电子传输层。我们发现掺rubrene和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件性能相比有所提高。器件性能的改善是因为掺入的rubrene能够促进从Alq3到DCJTB的能量转移。根据荧光衰减曲线,计算出从Alq3到DCJTB、从Alq3到rubrene以及从rubrene到DCJTB的能量转移速率分别为1.04×109,3.89×109,2.79×109s-1。可以看出能量通过rubrene从Alq3到DCJTB的转移速率是能量直接从Alq3到DCJTB的2.7倍。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。     

动态柱形空穴膨胀模型及其在侵彻问题中的应用

 在侵彻问题中的应用进行了研究。通过采用相似变换求解塑性区控制方程，获得了动态柱形空穴膨胀中的弹塑性界面速度、径向应力分布、空穴表面应力的解。基于柱形空穴模型，推导了侵彻方程，并将其得到的预测结果与侵彻实验数据进行了比较。结果表明，模型的理论解与现有数据吻合得很好。 结果还显示了材料的可压缩性和塑性强化模量对柱形空穴膨胀以及侵彻阻力的影响。     

一种新型有机电致微腔结构的双模发射

采用结构Glass／DBR／ITO／NPB／NPB：Alq／Alq／Al制作了有机微腔电致发光器件。将空穴传输材料与发光材料以一定比例混合作为发光层，为了便于对比，在不改变有机层的膜厚的情况下同时制作了传统的异质结微腔器件，发现两种器件的发光光谱有很大不同，器件的复合效率与传统的异质结器件相比也得到了很大提高，这是因为将两种有机材料混合能消除界面势垒，提高器件的复合效率，从而提高了器件的发光性能，实现了微腔双模发射，且两个模式的半峰全宽分别为8nm和12nm。通过进一步优化器件结构可以实现微腔白光发射。     

一种新型手性功能单体的合成

以手性芳胺为母体,丙烯酰氯为酰化试剂,合成了新型手性功能单体(1)。用1合成了一系列手性分子印迹聚合物。1的结构经1H NMR,IR,MS及元素分析确证。     

利用г—X混合在AlAs／GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储

利用GaAs量子阱中г谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振г-X混合，使得光生电子不仅在实空间而且在K窨 与光生空穴分离开来，从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实。如果将我们的器件用作光存储单元，预期可以获得很长的存储时间Ts。同时，由于г-X混合隧穿速率很快，光子“读出”仍可以保持很快。     

Dependence of Performance of Organic Light-emitting Devices on Sheet Resistance of Indium-tin-oxide Anodes

IntroductionIndium-tin-oxide(ITO) has been widely used asthe anode material in organic light-emitting devices(OLEDs) because of its high transmittance in the visi-ble region and low electrical resistivity. In the pastyears, many investigations focused on …     

星状四芳胺类空穴传输材料的合成

有机电致发光器件 (ＯＥＬＤ)是继阴极射线管平板显示器 (ＣＲＴ)和液晶显示器 (ＬＣＤ)之后的第三代平板显示器。它具有主动发光、驱动电压低(2伏左右 )、发光亮度高 (1 3 0 0 0ｃｄ ｍ2 以上 ) ,无软Ｘ 射线污染 ,响应速度快 (1 0 -6 ～ 1 0 -8秒 )等优点。从 1 987年美藉华人邓清云等提出多层结构的ＯＥＬＤ的器件结构以来的十多年间 ,ＯＥＬＤ以及其材料的研究已成为显示技术以及显示材料等方面的研究热点 ,发展很快[1～ 3] 。在 1 999年日本先锋公司已开发出了单色的汽车用ＯＥＬ平板显示器商品 ,今年东芝公司又开发出了 2 .7英寸的彩…