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1.
受激布里渊放大光脉冲波形的研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
丁迎春  吕志伟  何伟明 《物理学报》2003,52(9):2165-2169
利用瞬态包含抽运抽空的SBS理论模型对布里渊放大器进行了数值模拟,给出了脉冲波形随 抽运光功率密度和种子光与抽运光能量比的变化规律,并用实验进行了验证,理论与实验符合得较好.  相似文献
2.
受激布里渊散射相位共轭激光组束规律的研究   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
 提出了一种新的SBS激光组束的方法。此方法中,一束按时间分布的激光脉冲序列作为泵浦光从SBS放大池的一端入射,另一束Stokes频移种子光从SBS池的另一端入射,Stokes种子光在SBS池的相互作用区提取泵浦光能量。研究了组束效率和输出脉宽随脉冲串个数、间隔和泵浦功率密度等的变化规律。研究结果表明种子注入型泵浦脉冲串的受激布里渊散射相位共轭组束是一种高效的组束方法。  相似文献
3.
掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了未掺杂和掺杂稀土(Y,La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小,并且可能形成新的半导体,这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y,La)后的光学性质,掺杂后有更高的静态介电常数,可以作为新的介电材料和好的折射材料,这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.  相似文献
4.
抽运功率密度对布里渊放大的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
吕志伟  丁迎春  何伟明 《物理学报》2002,51(6):1286-1290
利用瞬态包含抽运抽空的SBS理论模型对布里渊放大器进行了数值模拟,给出了能量提取效率、Stokes种子光放大率、Stokes种子光脉宽压缩率和抽运光脉宽压缩率随抽运功率密度的变化规律.并用实验进行了验证,理论与实验符合得较好.  相似文献
5.
γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.  相似文献
6.
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA)研究了过渡族金属(Mn,Fe,Co,Cu)与N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度分布、差分电荷密度和光学性质.计算表明Mn,Fe,Co与N共掺ZnO的光学性质与Mn,Fe,Co单掺杂相近,但是过渡族金属与N共掺杂有利于获得p型ZnO. 关键词: ZnO 第一性原理 电子结构 光学性质  相似文献
7.
γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.  相似文献
8.
过渡金属掺杂ZnO的电子结构和光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用基于密度泛涵理论的超软赝势法(USPP),结合局域密度近似(LDA),对过渡族金属离子掺杂的纤锌矿型ZnO做第一性原理计算,得到了它的平衡晶格常数、结合能、电子态密度分布、能带结构、介电函数、光学吸收系数等性质,详细讨论了掺杂后ZnO化合物的电子结构及成键情况,并结合实验结果定性分析了掺杂后光学性质的变化. 关键词: 氧化锌 掺杂 第一性原理 光学性质  相似文献
9.
丁迎春  吕志伟  何伟明 《物理学报》2002,51(12):2767-2771
利用瞬态包含抽运抽空的受激布里渊散射理论模型对布里渊放大器进行了数值模拟,给出了布里渊放大器中能量提取效率、种子光放大率、种子光脉宽压缩率和抽运光脉宽压缩率随Stokes种子光与抽运光能量比的变化规律,并用实验进行了验证,理论与实验符合得较好  相似文献
10.
 基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了硅铍石型和尖晶石型结构BeP2N4的总能量随体积的变化关系。利用Brich-Murnaghan状态方程,通过能量和体积拟合,得到了2种结构的体变模量及其对压强的一阶导数。在压力作用下,BeP2N4的相变是从硅铍石型结构(空间群R-3,No.148)转变到尖晶石型结构(空间群Fd-3m,No.227),计算出的相变点与其它理论值符合得非常好。同时计算了BeP2N4的相对晶格常数a/a0和相对体积V/V0的压缩率,在低压下发现,尖晶石结构BeP2N4的压缩率接近金刚石,进一步计算了不同压力下的体弹模量BH、剪切模量GH、BH/GH和杨氏模量E。此外,对两种结构的BeP2N4的电子态密度和带隙随压强的变化关系进行了计算和分析。结果表明:在压力作用下,上价带顶向费米能级移动,并有一定的展宽。Be—N、P—N键缩短,电子转移增加,导致电荷发生重新分布。  相似文献
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