通道宽度对二维粗糙边界斜面颗粒流的影响

在此之前已经报道了二维斜面颗粒流在通道中的分布规律以及二维斜面粗糙边界附近的颗粒 流量密度（ξ=ρ·ν）分布.本文则主要研究通道宽度W对边界附近颗粒流量密度(ξ=ρ· ν)分布的影响.结果表明，颗粒流量密度随通道宽度的变化（ξ W）存在一临界通道宽度W c.在本实验条件下临界通道宽度Wc=70d.当通道宽度小于临界宽度Wc时 ，通道中距边界20d—30d区间内的相对颗粒流量密度随斜面倾斜角的变化可描述为ξ∝( sinθ)α，α是与通道宽度W有关的参数，其数值在032至085之间. 关键词： 二维颗粒流 颗粒物质 颗粒流量密度     

瓶颈开口角对二维颗粒流的影响

实验研究了平面传送带上颗粒流的特性，主要包括传送带出口处开口宽度以及瓶颈开口角度对颗粒流的影响.实验结果发现，改变瓶颈开口角度θ，当θ大于15°时，颗粒流量Q随着cosθ呈线性变化.同时，颗粒流量Q与传送带速度v以及开口大小R也密切相关，而在θ小于15°时，颗粒流量Q基本不随开口角度变化.     

平面颗粒流的瓶颈效应及其与速度的关系

通过实验研究了二维传送带上圆片颗粒运动与开口大小及传送带速度的关系，发现当开口尺寸d固定时，存在临界速度vc，在v＜vc范围，流量Q随速度v线性增大，在vc处Q-v关系发生突变.改变颗粒运动速度v或改变开口尺寸d均有临界值，使颗粒流规律发生转变.这是由于开口尺寸或速度变化使颗粒间相互作用及颗粒流状态变化造成的. 关键词： 平面颗粒流 瓶颈效应     

硫在Ni_(110)表面偏析的角分辨俄歇研究

本实验采用LEED及角分辨俄歇两种手段,对硫在Ni_(110)表面的偏拆作了详细的分拆。角分辨俄歇表明:Ni_(110)表面硫的偏折存在一硫的深度分布,分布层厚度大约为2～3镍原子层厚度。而LEED观察表明,当退火温度达到900℃退火4～5秒,将得到清晰的C_(2×2)图形。     

二维斜面粗糙边界附近颗粒流量密度分布

以往的实验研究中，已经知道粗糙边界条件下，二维颗粒流的颗粒流量是以通道中心横向对称分布的，颗粒流横向分布既受通道宽度的影响，同时也受通道斜面倾斜角的影响，而且颗粒在通道两侧的分布明显少于通道中间. 主要研究粗糙边界附近颗粒分布随通道宽度以及通道斜面倾斜角的变化规律. 在稀疏流状态以及保持边界墙体的粗糙度不变的条件下，对应不同通道宽度，粗糙边界附近10d范围内的颗粒流量密度(ξ=ρv)随斜面倾斜角的增大而减小，颗粒流量密度随通道宽度的变化存在一临界宽度Wc；在通道宽度小于Wc时，粗糙墙体附近10d范围内颗粒流量密度ξ随sinθ呈指数衰减，通道宽度大于Wc时，颗粒流量密度ξ_sinθ曲线随θ增大几乎呈线性减小. 关键词： 二维颗粒流 颗粒物质 颗粒流量密度     

颗粒物质与颗粒流

颗粒物质研究是当前物理学研究的热点之一．在我国,对颗粒物质的研究才刚刚起步．本文主要是简单介绍颗粒物质的基本概念以及颗粒物质研究对工农业生产的意义,同时介绍国内外最近几年在颗粒物质方面的研究进展,再报道作者在颗粒物质研究方面的一些初步结果．     

CO在Si(100)表面生长的光电子谱研究

本文着重介绍了 CO /Si( 100)界面 CO原子与表面 Si原子的相互作用. 在不同覆盖度或经不同退火温度处理, CO, Si原子之间存在不同的相互作用. 当覆盖度为 10ML时经 350℃退火处理后, Si( 100)表面将形成 COSi2 处延.     

瓶颈开口角对二维颗粒流密度的影响

此前曾研究过传送带出口处瓶颈开口角度对颗粒流的影响．在稀疏流状态下改变瓶颈开口角度θ,当θ大于15°时,颗粒流量Q随着cosθ呈线性变化,颗粒流量Q可表示为：Q（θ,v,R,ρ）=ρo·R·v-K（ρ,R,v）·cosθ（ρo是开口角为90度时颗粒在瓶颈开口处的平均密度）．本文着重研究了颗粒流量Q与速度v、瓶颈开口R以及颗粒密度ρ的关系,结果发现在稀疏流状态下颗粒流量Q在任何开口角度下与速度v以及瓶颈开口R都呈线性关系,但颗粒流密度ρ却是瓶颈开口角度θ以及开口尺寸R的函数,ρ（R）与COSθ呈非线性关系．     

颗粒链在振动条件下的行为研究

采用实验方法研究打结颗粒链在外部激振下解结过程与激振源以及颗粒链长度的关系.实验结果表明颗粒链结解开所需的时间与振动频率有关,颗粒链解结存在截止频率和最佳振动频率;颗粒链解结时间与链长之间呈非线性关系.同时采用Monte Carlo时步模拟的方法,对珠链解结的动力学模型进行仿真.