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1.
邵其鋆  潘正瑛 《物理学报》1995,44(3):479-487
用基于两体碰撞近似的动态蒙特-卡罗模拟方法和Boltzmann输运方程近似解法,研究注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性.讨论注入物理参数对表征射程统计分布的平均投影射程、分布的标准偏差、偏度和峰度等的影响.计算结果与有关实验数据比较符合得较好. 关键词:  相似文献   
2.
In this paper, the sputtering caused by fusion of 4He particles in the first wall materials is investigated by using the dynamic Monte Carlo simulation, which is based on the binary collision approximation. The dependences of sputtering yields on the incident energy and angle, as well as the comparisons of results calculated using the Monte Carlo methed with results from experiments, are discussed. Energy spectrum and angular distributions of sputtered species, the depth of origin of the sputtered particles as well as range distributions of incident ions are given. From a comparison between the related experimental data and the calculated results with static and dynamic simulation it has been found that a better agreement is obtained for dynamic simulation.  相似文献   
3.
邵其鋆 《物理学报》1992,41(10):1715-1721
本文用基于两体碰撞近似的蒙特-卡罗模拟方法研究不同相互作用势(Moliére势和Universal势)对溅射模拟计算结果的影响,并用Wilcoxon配对符秩检验法给出上述结果的显著性差异。 关键词:  相似文献   
4.
本文用基于两体碰撞的蒙特-卡罗方法研究α粒子轰击固体靶的位移原子深度分布,并分析了位移原子深度分布与固体中能量沉积的关系。文中给出入射α粒子能量、入射角及靶材料的改变对位移原子深度分布的影响。结果表明,位移原子数与轰击离子在靶中的弹性能量损失密切相关。聚变α粒子在SiC中产生的位移损伤远小于它在不锈钢材料中的位移损伤。  相似文献   
5.
本文用基于两体碰撞的蒙特-卡罗方法研究α粒子轰击固体靶的位移原子深度分布,并分析了位移原子深度分布与固体中能量沉积的关系。文中给出入射α粒子能量、入射角及靶材料的改变对位移原子深度分布的影响。结果表明,位移原子数与轰击离子在靶中的弹性能量损失密切相关。聚变α粒子在SiC中产生的位移损伤远小于它在不锈钢材料中的位移损伤。 关键词:  相似文献   
6.
本文研究从托卡马克聚变堆等离子体边界损失的α粒子能谱。分析α粒子的损失机制。建立描述α粒子输运的慢化-扩散方程。同时考虑香蕉捕获粒子、飞行粒子和波纹约束粒子对扩散系数的贡献以及α粒子的直接损失机制。针对典型的聚变堆参数数值求解方程得到待求的α粒子能谱。讨论了解的物理意义。  相似文献   
7.
何煜  郭文康  邵其鋆  须平 《物理学报》2000,49(3):487-491
基于Braginskii理论建立了自由电弧电离层区域的双温度流体方程模型,计算了这个区域的温度、速度、电势场分布,并与其他模型计算进行比较  相似文献   
8.
直流等离子体弧温度测量与模拟计算结果的比较   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
邵其鋆  何煜  郭文康  须平  臧德鸿 《物理学报》1999,48(9):1691-1700
介绍在等离子体弧符合局部热力学平衡条件下,计算自由燃烧弧的温度、速度和电势场分布的方法.把计算结果与用电荷耦合器件技术的光谱法等离子体温度测量数据进行了比较,理论计算和实验结果符合得较好. 关键词:  相似文献   
9.
改进Al单晶样品的处理方法,得到了高质量的样品。进行了Al单晶辐照损伤实验,直接测量了Ep=1565keV时27Al(p,α)24Mg共振所形成的28Si 13.095MeV激发态能级寿命。采用MonteCarlo模拟和“分析”方法计算得到其寿命值τ=16.3±2.4as,对应的能级宽度Γ=40±6eV,与文献报道的共振产额法结果符合得较好。 关键词:  相似文献   
10.
邵其鋆  潘正瑛 《中国物理》1994,3(9):690-696
In this paper, the growth process of silicon nitride films by ion beam enhanced depo-sition (IBED) is investigated by using the dynamic Monte Carlo simulation, which is based on the binary collision approximation. The effects of the incident angles, energies of the bombarded ions and the interaction potentials on the composition of the films are discussed. The successive and alternate deposition process of silicon and implantation of nitrogen ions have been applied to simulate the actual continuous and synchronous process of IBED. The relationship between the calculated composition of the films and the ion/atom arrival ratio of implanted nitrogen ions to deposited silicon atoms has been established. The composition profile obtained by computer simulation is in good agreement with the experimental results.  相似文献   
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