GaN直纳米线的光学性能

对 Ga N直纳米线的拉曼光谱及光致发光光谱进行了研究。拉曼光谱表明 ,与计算值相比 ,E2 ( high)声子频率在 560 cm- 1有 -9cm- 1的移动 ,这种声子频率显示出向低能带频移及带变宽的特征 ,是由于纳米尺寸效应所引起的结果。体系的光致发光光谱在 3 44 .8nm附近的近带隙发光 ,与文献报道的 Ga N体材料的数值3 65nm相比有一蓝移 ,这是由于量子限制效应造成的     

熔盐生长KTiOPO4晶体的层绵成因与克服方法

本文用光学显微术观察了在多磷酸钾盐熔盐中生长的KTiOPO₄(KTP)晶体的表面形态和内部疵病,并借助扫描电子显微镜和能谱分析得到了横贯层绵结构的体过饱和度变化规律。基于上述结果,阐明了在不适当的生长条件下,由于晶面上熔质分布高度不均匀而形成宏观包藏——层绵的原因与过程。当熔液浓度位于稳定生长所需的临界过饱和度区域内,即各处σ均大于该区的下限(～1.3)时,重复长出了无层绵透明的KTP晶体。 关键词：     

氮化镓纳米固体的合成及其激光拉曼光谱

利用氨热法合成了一种新型致密材料—氮化镓纳米固体。该纳米固体呈淡黄色,半透明,其组成颗粒的平均粒径为12nm,为六方纤锌矿型结构。与氮化镓单晶相比,在该纳米固体的激光拉曼光谱上观察到了由于纳米尺寸效应而引起的E2(high)声子带的红移、带的宽化和新的声子带(656cm-1和714cm-1)的出现     

Influence of Phase Transition of Starting Materials on Growth of GaN Nanomaterials by CVD

Ground by mechanical ball milling under certain conditions, β-Ga2O3 powders can transit to ε-Ga2O3 ones. As starting materials, Ga2O3 powders treated by different methods are used to prepare GaN nanomaterials. It is found that the morphologies of GaN nanomaterials are quite different due to the phase transition of Ga2O3 from β-Ga203 to ε-Ga203.     

气相反应法制备GaN纳米线

用简单化学反应的方法,采用非空间限制的条件,成功地在LaAlO3衬底上制备了GaN纳米线.分别用X射线粉末衍射、场发射扫描电镜和高分辩电镜等对其成分、形貌及其结构进行了表征.制备的GaN纳米线直径大部分为10～50nm,且多呈平直光滑状态;纳米线的成分为六方晶系氮化镓晶体.