Au_2Ge_n~(-/o)(n=1～8)团簇结构演化和电子性质的光电子能谱和理论计算研究（英文）

本文利用尺寸选择的负离子光电子能谱和理论计算探索Au_2Ge_n~(-/0)(n=1～8)团簇的结构演化和电子性质.通过比较理论模拟谱与实验谱,并使用CCSD(T)理论方法计算异构体的相对能量,从而确定金锗混合团簇的全局最小结构.本文发现Au_2Ge_n~(-/0)(n=1～8)团簇的两个Au原子具有较高的配位数和较弱的亲金相互作用.负离子团簇和中性团簇的最稳定结构分别处于自旋双重态和自旋单重态.除了Au_2Ge_4~(-/0)和Au_2Ge_5~(-/0),负离子团簇和中性团簇的全局最小结构具有相似的结构特点.Au_2Ge_1~(-/0)团簇是一个C_(2v)对称的V形结构,而Au_2Ge_2~(-/0)团簇是一个C_(2v)对称的双桥连结构.Au_2Ge_4~-负离子团簇是两个Au原子盖帽的Ge_4四面体结构,而Au_2Ge_4中性团簇是两个Au原子盖帽的Ge_4菱形结构.Au_2Ge_(5～8)~(-/0)团簇主要采用三棱柱、四棱柱、及五棱柱结构.Au_2Ge_6是一个C_(2v)对称的四棱柱结构,并表现出σ和π双键性质.     

Structural and bonding properties of ScSi_n~-(n=2～6) clusters:photoelectron spectroscopy and density functional calculations

Anion ion photoelectron spectroscopy and density functional theory (DFT) are used to investigate the electronic and structural properties of ScSin-(n=2～6) clusters and their neutrals. We find that the structures of ScSin- are similar to those of Sin+1- . The most stable isomers of ScSi n cluster anions and their neutrals are similar for n=2,3 and 5 but different for n=4 and 6,indicating that the charge effect on geometry is size dependent for small scandium-silicon clusters. The low electron binding energy (EBE) tails observed in the spectra of ScSi4,6- can be explained by the existence of less stable isomers. A comparison between ScSin- and VSin- clusters shows the effects of metal size and electron configuration on cluster geometries.     

TiGen-(n=7~12)团簇的光电子能谱及密度泛函理论研究

利用光电子能谱及密度泛函理论计算对TiGe_n^-(n=7~12)团簇的几何结构及电子特性等进行了系统研究. 对于TiGe_n^-负离子及中性TiGe_n,在n=8时出现了钛原子半内嵌的船型结构;在n=9~11时,新增的锗原子加盖到这种船型结构上,逐步形成钛原子完全内嵌的结构. TiGe₁₂^- 团簇具有一种钛原子内嵌的变形六棱柱结构. 自然布居分析结果显示,对于n=8~12的TiGe_n^-/0 团簇,随着内嵌结构的形成,有电子从锗原子转移到钛原子,说明其电荷转移方式与结构演变密切相关.     

Ta4Cn^-/0(n=0-4)团簇的电子结构、成键性质及稳定性

本文采用尺寸选择的负离子光电子能谱技术,结合密度泛函理论,对Ta4Cn^-/0(n=0-4)团簇电子结构、成键性质以及稳定性进行了研究.实验测得Ta4Cn-(n=0—4)团簇负离子基态结构的垂直脱附能分别为(1.16±0.08),(1.35±0.08),(1.51±0.08),(1.30±0.08)和(1.86±0.08)eV.中性Ta4Cn(n=0—4)团簇的电子亲和能分别为(1.10±0.08),(1.31±0.08),(1.44±0.08),(1.21±0.08)和(1.80±0.08)eV.研究发现Ta4^-/0团簇为四面体结构,Ta4C1-/0团簇中碳原子覆盖在Ta4四面体的一个面上方,Ta4C2^-/0团簇则是两个碳原子分别覆盖在Ta4四面体中的两个面上方.Ta4C3^-/0团簇是一个缺角立方体结构.Ta4C4^-/0团簇则是近似立方体结构,可以看成是α-TaC面心立方晶体的最小晶胞单元.分子轨道分析结果显示Ta4C3团簇的单电子最高占据轨道主要布居在单个钽原子周围,导致Ta4C3^-团簇的垂直脱附能明显低于其相邻团簇.理论研究显示随着碳原子数目的增加,Ta4Cn^-/0(n=0—4)团簇中的钽-钽金属键逐渐被钽-碳共价键取代,单原子结合能逐渐增加且明显高于Ta4+n^-/0(n=0-4)团簇.中性Ta4C4的单原子结合能高达7.13 eV,这说明钽-碳共价键的形成有利于提高材料的熔点,这与碳化钽作为高温陶瓷材料的特性密切相关.     

Au2Gen-/0 (n=1∽8)团簇结构演化和电子性质的光电子能谱和理论计算研究

本文利用尺寸选择的负离子光电子能谱和理论计算探索Au₂Ge_n^-/0 (n=1∽8)团簇的结构演化和电子性质. 通过比较理论模拟谱与实验谱，并使用CCSD(T)理论方法计算异构体的相对能量，从而确定金锗混合团簇的全局最小结构. 本文发现Au₂Ge_n^-/0 (n=1∽8)团簇的两个Au原子具有较高的配位数和较弱的亲金相互作用. 负离子团簇和中性团簇的最稳定结构分别处于自旋双重态和自旋单重态. 除了Au₂Ge₄^-/0和Au₂Ge₅^-/0，负离子团簇和中性团簇的全局最小结构具有相似的结构特点. Au₂Ge₁^-/0团簇是一个C_2v对称的V形结构，而Au₂Ge₂^-/0团簇是一个C_2v对称的双桥连结构. Au₂Ge₁^-负离子团簇是两个Au原子盖帽的Ge₄四面体结构，而Au₂Ge₄中性团簇是两个Au原子盖帽的Ge₄菱形结构. Au₂Ge_5∽8^-/0团簇主要采用三棱柱、四棱柱、及五棱柱结构. Au₂Ge₆是一个C_2v对称的四棱柱结构，并表现出σ和π双键性质.     

激光溅射法生成金属掺杂氮原子团簇CuNn 、ZnNn 和ScNn

以高纯氮气为载气,通过激光分别轰击Cu/BN、Zn/BN和Sc/BN压制成的样品,首次生成了相应团簇CuNn 、ZnNn 和ScNn ,得到了团簇质谱图,确定了CuNn 、ZnNn 和ScNn 团簇中最稳定的组成分别为CuN4 、ZnN6 和ScN12 。     

Modification of Reflectron Time-of-Flight Mass Spectrometer for Photodissociation of Mass-Selected Cluster Ions

介绍了一种改进的反射式飞行时间质谱装置用于光解质量选择的团簇离子. 该装置中采用了\选质-减速-解离-再加速"的方式. 团簇离子在反射式飞行时间的一级聚焦点被选质,接着被减速,并且立即被光解,光解所产生的碎片以及没有被光解的母体离子被重新加速,这一系列过程都在靠近一级聚焦点的位置完成. 相对文献中报道的其他方式,采用这一方式更利于光解碎片和母体离子的分离,更容易确定光解激光的触发时间,同时,由于母体离子在一级聚焦点的空间分布比较窄,也有利于光解激光束照射到所有的团簇离子,从而提高光解效率. 对母体离子、碎     

小尺寸VmOn+团簇的激光光解和密度泛函计算

通过激光溅射法产生了V₂O_n⁺ (n=1, 2), V₃O_n⁺ (n=1, 2, 3)和V₄O₃⁺等缺氧的钒氧团簇,并采用532和266 nm波长的激光对它们进行了光解研究. 利用密度泛函理论计算与激光光解实验相结合确定了这些团簇的几何结构和可能的光解通道. 激光光解实验表明V相似文献   

N4+的生成与检测

用从Nd:YAG激光器发出的波长532nm的激光(能量约为10mJ/pulse)溅射由BN、ZrN粉末分别压成的直径13mm、厚度约2～5mm的固体压片样品,生成了含氮团簇N4+。实验中,用高纯氮气为载气,辅助含氮团簇的生成并冷却激光溅射所产生的团簇。反射式飞行时间质谱仪监测反应过程证实N4+的存在,且其存在时间超过200μs。     

非均匀弱直流偏置磁场中CoFe-基非晶态合金丝的静磁化分布和退磁场分布

当前从事非晶态合金丝巨磁阻抗效应的理论研究均以忽略其内部退磁场为前提,该前提对于小尺寸非晶态合金丝不适用.本文提出一种用于计算Co Fe-基非晶态合金丝内部静磁化强度、退磁场分布的模型.该模型将非晶态合金丝内部划分成同轴、等宽、等厚、半径不同的相邻无交圆环,计算各圆环内磁化强度对场点r处退磁场冲激响应,得到冲激响应矩阵.利用该矩阵求解均匀/非均匀直流偏置磁场中非晶态合金丝内静磁化强度、退磁场分布.