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1.
以SnCl45H2O和SbCl3为原料,采用液相化学共沉淀法制备锑掺杂氧化锡(ATO)粉体。分析了不同Sb掺杂质量分数条件下,ATO粉体的禁带宽度变化,并对材料在0.2~1.6 THz波段的透射时域和频域谱,以及吸收和屏蔽参数进行了对比分析。结果表明,ATO粉体的禁带宽度随着Sb掺杂量的增加先减小后增大;同时,ATO粉体对THz波的吸收系数随着Sb掺杂量的增加先增大后减小,当Sb掺杂质量分数为9%时,ATO的吸收系数在1.25 THz处达到最大值156.5 cm-1,屏蔽效能在1.24~1.60 THz范围内最高达到45.0 dB。  相似文献   
2.
用太赫兹时域光谱技术研究不同加热时间后水合TiO2在0.2~1 THz波段的THz时域谱、频域谱、吸收谱、折射率谱和复介电常数。结果表明水合TiO2在THz波段出现明显吸收峰,随加热时间增加,含水量降低,吸收系数减小;样品折射率变化位置与吸收峰位置相对应。水合TiO2在太赫兹波中的电极化响应与频率不存在明显的关系,介电损耗随频率的升高先降低后趋于稳定,介电响应均随加热时间延长而减弱。  相似文献   
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