大电流碳纳米管场发射阴极研究

报道了在较大发射面积上获得较大场发射电流的碳纳米管场发射阴极。为了加强场发射电流,在丝网印刷浆料中增加一种金属纳米颗粒,金属颗粒增强了碳纳米管发射体和衬底的接触,提高碳纳米管和衬底的粘附作用。利用改进后的丝网印刷方法制备了大电流碳纳米管场发射阴极,测得最大发射电流为68.0 mA,阴极有效发射面积约1.1 mm2,发射电流密度约6.2 A/cm2;并成功将改进方法制备的大电流场发射碳纳米管阴极应用于场发射真空器件原型。实验证明这种具有较大发射电流和较大发射电流密度的场发射能够满足部分大功率电子器件的需求。收稿日期:; 修订日期:     

磷基的几何结构与光电子能谱

基于ab initio/DFT理论,对磷基分子以其阴离子态进行了几何结构优化和谐振频率计算。在B3LYP/6-311+G(2d,p)理论水平下,通过Franck-Condon因子计算模拟了磷基的光电子能谱[K. M. Ervin and W. C. Lineberger, J. Chem. Phys. 122 (2005) 194303],计算得到的理论谱与实验谱完全一致。另外,通过迭代Franck-Condon分析,得到优于ab initio/DFT理论计算的离子的几何结构参数。     

太赫兹源场致发射电子源

通过粒子模拟(PIC)软件模拟计算了在ps级别下二极与三极结构碳纳米管场致发射的电流密度与电子注聚焦性能。阳极电压在2 kV时,二极结构下电流密度达到1.85 A/cm2;三极结构下,栅压700 V时发射电流密度达到2.3 A/cm2,且在一定的三极结构参数与电极电压下,可以获得较好的电子注聚束效果。通过碳纳米管二极管发射实验,获得了6.6 A/cm2的发射电流密度,总发射电流达到52.1 mA,可以为太赫兹器件提供连续发射的电子注。     

静电场描绘仪的改进

利用稳恒电流场在导体中的分布可以模拟静电场的分布．传统的静电场描绘仪存在着一系列缺陷,针对传统静电场描绘仪的不足作了部分的改进．通过实验比较,改进后的描绘仪能很好地模拟静电场．     

磷基的几何结构与光电子能谱

基于ab initio/DFT理论,对磷基PH2分子X~2B1态和PH-2阴离子X~1A1态进行了几何结构优化和谐振频率计算.在B3LYP/6-311+G(2d,p)理论水平下,通过Franck-Condon因子计算模拟了PH-2实验的光电子能谱,计算得到的理论谱与实验谱完全一致,确认属于PH2(X~2B1)-PH-2(X~1A1)光脱附过程.另外,通过迭代Franck-Condon分析,得到优于ab initio/DFT理论计算的PH-2离子的几何结构参数R(PH)=0.1438±0.0002 nm和∠(HPH)=92.2±0.2°.