C.I.颜料红177中间体的制备工艺改进

本文较为系统地研究了铜粉催化剂加入方式对C.I.颜料红177中间体4,4'-二氨基-1,1'-二蒽醌-3,3'-二磺酸(DAS)合成过程中的乌尔曼偶联反应速率的影响规律。 研究结果表明,在55 ℃较佳反应温度下,先加入与溴氨酸钠质量比为2:5的铜粉,反应一段时间后再加入与溴氨酸钠的质量比为1:5的铜粉,与一次性加入与溴氨酸钠的质量比为3:5的铜粉相比较,综合反应时间可节省2~3 h。 另外,对于DAS中混有的铜盐,采取在制备过程中加入柠檬酸的方法予以去除,此举可提高DAS的纯度。 当铜粉与柠檬酸的质量比为6:1时,可使DAS中铜盐的含量小于0.001%。 此外还探究了蒸馏后滤液的剩余量对DAS收率的影响,结果表明,滤液的剩余量在20 mL时,DAS的收率在95%以上。 基于本文的研究结果提出,欲进一步提高该反应的收率,需要寻找更高效的催化剂。     

手性钙钛矿纳米材料的构筑及光电性能

金属卤化物钙钛矿纳米材料因其丰富的化学结构和优异的光电性能,已成为一种极具应用前景的半导体材料。在钙钛矿无机框架中引入有机手性分子后,能够比较容易地得到手性钙钛矿纳米材料,从而可以极大地推动智能光电材料和自旋电子器件的快速发展。本文将综述手性钙钛矿纳米材料的构筑与手性产生机理的最新研究进展,包括一维手性钙钛矿纳米线、二维及准二维手性有机-无机杂化钙钛矿纳米片、三维手性钙钛矿纳米晶、超分子组装体系中诱导的手性钙钛矿纳米晶等。值得注意的是,不同种类的手性钙钛矿纳米材料在圆二色性、圆偏振发光、铁电性、自旋电子学等方面展现出优异的光电性能及巨大的应用前景。但是,有关手性钙钛矿纳米材料的研究目前还处于初级阶段,其中很多机理还存在争议,许多基础性和应用型的工作也有待开展。     

飞行器供配电系统地面通用测试接口设计

供配电地面测试负责为飞行器提供模拟供电、控制状态切换、采集并传输系统状态信息,配合完成全飞行器全周期的综合测试任务。本文首先简要介绍了供配电地面测试系统的基本功能和设备组成,然后对供电、控制、测量的接口设计进行分析,最后提出接口通用化设计方案。本文为电气系统地面通用化测试研究提供了有益尝试。     

基于固态功率控制器的器载配电器的BIT设计技术研究[BT)]

航空航天飞行器发展迅速，用电设备数量增多，飞行任务复杂性增大，对飞行器配电系统的智能程度以及可靠性提出更高要求。配电器是配电系统的核心设备，为飞行器所有用电负载设备分配电能，其性能的优劣直接影响到飞行任务的成败，BIT（Built-In Test）技术是一种能够显著改善系统或设备测试性能和诊断能力的重要手段。研究了以固态功率控制器为核心器件的配电系统总体方案，对固态功率控制器的故障模式与测试方法进行了分析，给出了测试点设计和优选方法，通过故障诊断能力计算结果表明BIT设计技术可提高配电系统的可靠性和智能化程度。     

基于双功能配体2，2'∶6'2″-三联吡啶-4'-羧酸的三种铜（Ⅱ）配合物的合成、结构及性质

在溶剂热条件下,合成了2个铜的双核配合物[Cu（tpyc）（H₂btc）]₂（1）、[Cu₂（tpyc）₂（suc）（H₂O）₂]（2）和配位聚合物{[Cu₃（tpyc）₃（OH）₂（H₂O）₂]ClO₄}_n（3）（H₃btc=1,3,5-benzenetricarboxylic acid,H₂suc=succinic acid,Htpyc=2,2''：6''2″-terpyridine-4''-carboxylic acid）,分别用元素分析、红外光谱、X射线单晶衍射、粉末X射线衍射、热重及磁性分析对其进行了表征。结构分析表明,配合物1~3通过多重氢键作用形成三维超分子结构。磁性分析表明：配合物1的相邻Cu（Ⅱ）离子间存在铁磁耦合作用,配合物2的相邻Cu（Ⅱ）离子间存在反铁磁相互作用。     

新型三核配合物[ CuL( DMF) 2] 2Zn( N3) 2的合成及其性质

以含草酰胺桥的单核配合物CuL(H₂L=2,3-二氧-5,6 ∶13,14-二联苯基-9,10-环己基-1,4,8,11-四氮杂十四环-7,12-二烯烃)为前驱体, Zn(ClO₄)₂·6H₂O为金属中心，NaN₃为辅助配体，DMF为溶剂，采用扩散法合成了一例新的三核金属配合物[CuL(DMF)₂]₂Zn(N₃)₂，并通过元素分析，X-射线粉末衍射、X-射线单晶衍射、红外光谱、紫外-可见光谱、磁性分析对其进行了表征。结构分析表明：该配合物(CCDC:1835721)属于三斜晶系，P₁空间群，晶胞参数分别为a=9.618 8(19) , b=9.878 5(18) , c=14.555(3) , α=100.898(3)°, β=101.384(3)°, γ=109.661(3)°, V=1 226. 9(4) ³, Z=1。磁性研究表明：配合物中顺磁金属离子Cu(II)之间存在弱的反铁磁性相互作用。     

基于1553B总线的飞行器电气综合系统管理设计

为了简化飞行器日益发展电气设备而造成的复杂连接关系,并实现电气综合系统的自主管理;通过对两种典型总线比较,采用了一种基于1553B总线、冗余的飞行器电气综合系统模块化设计方法,主要通过总线控制器备份控制方式,在主计算机出现故障的时候,备份计算机能完全接替总线控制权;该方法在满足实时性和可靠性需求同时,可以针对不同的电气系统设计构架,快速进行系统重构,具有很强的可配置性,而且大大减小了系统的体积和重量,适应电气综合系统构架的发展方向。     

基于纳米碳填料可拉伸导电聚合物复合材料的制备

碳系材料具有导电性强、稳定性好、价格低廉等优点,被广泛用于制备可拉伸导电复合材料,并且在可拉伸、可穿戴电子设备等领域有巨大的应用潜力,引起了研究者的密切关注。本文介绍了碳系材料的种类,主要有炭黑、碳纳米管和石墨烯等;总结了3种纳米复合材料的主要制备工艺:原位聚合法、熔融共混法和溶液混合法,并介绍了传统印刷技术和新型打印技术。分析了复合材料的导电机理,介绍了渗流阈值理论;并重点探讨了其在可拉伸传感器和可拉伸能量储存设备领域的应用。针对基于纳米碳填料制备的可拉伸导电聚合物复合材料指出目前研究的不足之处:导电填料分散性差、导电网络不稳定和无法大规模生产等,并提出了多种解决方案。对基于纳米碳填料制备的可拉伸导电聚合物复合材料在微型化、可拉伸、可穿戴电子设备领域的应用前景作出了展望。     

复杂航天器电气系统潜通路分析技术研究

针对复杂航天器电气系统功能接口复杂、信号类型众多的特点，系统分析了导致潜通路存在的接口冗余、时序逻辑复杂、接地类型多等客观原因。明确了复杂航天器电气系统潜通路分析工作流程，并简要论述了潜通路分析的准备工作中的单机电气接口数据收集、电路原理图设计与简化的方法和要点，结合潜通路仿真建模分析及优化方法，总结了复杂航天器电气系统潜通路故障定位的潜在路径搜索与分析、识别与验证的步骤。提出了复杂航天器电气系统预防潜通路的电气接口信号类型简单化、电气接口隔离、信号流向单一化、接地设计提前规划四项设计原则，并针对某航天器匹配测试阶段发现的潜通路问题的原因及改进措施进行了分析。     

Quasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN templateQuasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN templateQuasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN templateQuasi-homoepitaxial GaN-based blue light emitting diode on thick GaN template

The high power GaN-based blue light emitting diode （LED） on an 80%tm-thick GaN template is proposed and even realized by several technical methods like metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）, hydride vapor-phase epi- taxial （HVPE）, and laser lift-off （LLO）. Its advantages are demonstrated from material quality and chip processing. It is investigated by high resolution X-ray diffraction （XRD）, high resolution transmission electron microscope （HRTEM）, Rutherford back-scattering （RBS）, photoluminescence, current-voltage and light output-current measurements. The width of （0002） reflection in XRD rocking curve, which reaches 173＂ for the thick GaN template LED, is less than that for the conventional one, which reaches 258＂. The HRTEM images show that the multiple quantum wells （MQWs） in 80%tm- thick GaN template LED have a generally higher crystal quality. The light output at 350 mA from the thick GaN template LED is doubled compared to traditional LEDs and the forward bias is also substantially reduced. The high performance of 80-~m-thick GaN template LED depends on the high crystal quality. However, although the intensity of MQWs emission in PL spectra is doubled, both the wavelength and the width of the emission from thick GaN template LED are increased. This is due to the strain relaxation on the surface of 80%tin-thick GaN template, which changes the strain in InGaN QWs and leads to InGaN phase separation.