厚二氧化硅光波导薄膜制备及其特性分析

以硅烷和氧化二氮作为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，不使用掺杂，在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧化硅薄膜。研究了薄膜折射率和淀积速率与工艺参量之间的关系，通过棱镜耦合仪、傅里叶变换红外光谱、原子力显微镜等测试手段，分析了薄膜的结构和光学特性。结果表明，实验能快速生长厚二氧化硅薄膜，薄膜表面平整，颗粒度均匀，同时薄膜具有折射率精确可控和红外透射性能好的特点，非常适合制作光波导器件。     

热CVD法制备纳米硅粉及其表征

采用简单的热CVD反应法成功制备了纳米硅粉、X射线衍射和透射电镜结果表明：该产物是无定形的球形纳米粉体，粒径为20～100nm．粉体粒径随分解温度敏感，温度升高粒径减小，但高于700℃时急剧增加．傅立叶红外分析表明，粉体存在Si～H键，且H含量随分解温度升高而降低．进一步研究表明，该无定形纳米硅粉经700℃退火处理可转变为晶体硅．