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对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射技术准确测量了制备的GaN膜的晶格常数,并计算得到GaN膜中面内双轴应变和面外双轴应变分别为3.37×10-4和-8.52×10-4,等静压应变为-7.61×10-5。拉曼光谱和激光光致发光谱测试表明HVPE-GaN外延膜具有较好的光学特性,利用拉曼光谱的E2模式特征峰和激光光致发光谱中近带边发射峰的频移定量计算了外延膜中的面内双轴压应力和等静压应力。两种方法得到的面内双轴压应力较为相符。 相似文献
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采用热解柠檬酸法制备碳点(CDs),并将之与表面无包裹剂的CdS纳米晶(CdS NCs)超声复合制备CdS纳米晶@碳点(CdS NCs@CDs)复合物。研究了复合物膜阴极电致化学发光(ECL),探讨了CDs对CdS纳米晶膜ECL增强的机理。CDs分散性良好、尺寸在1.5~4 nm之间;与粒径约为4 nm的CdS纳米晶按体积比2∶3复合后,在360 nm光激发下复合物具有最强的荧光发射且表现为CDs的荧光。同时,复合物膜产生归属于激发态CdS纳米晶的最强的ECL发射,且ECL发光峰起置电势正移至-1.05 V。复合物膜的ECL发射是pH依赖的,在pH值为6时,复合物膜具有最大的ECL强度,为CdS纳米晶膜ECL强度的19倍。这种ECL增强源于CDs能束缚大量电子产生局域电场从而促进近邻CdS纳米晶激发态的形成与弛豫。 相似文献
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ICP-AES测定微硅粉中Ca、Mg、Fe和Al的含量 总被引:1,自引:0,他引:1
微硅粉样品经氢氟酸、硝酸、高氯酸消解,电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定Ca、Mg、Fe、Al杂质元素含量。方法的回收率为:Ca 95.2%—100.3%,Mg 96.2%—99.6%,Fe 95.8%—97.2%,Al 98.6%—104.6%,精密度在1.50%—2.59%之间。本方法线性范围宽、分析效率高、具有良好的准确性和精密度,能快速准确地测定微硅粉中Ca、Mg、Fe和Al杂质元素的含量。 相似文献
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利用电化学和紫外光谱法研究了邻菲咯啉合钴(Co(phen)32+)与普利沙星(PLFX)及DNA间在pH=7.4的三羟甲基氨基甲烷-盐酸缓冲溶液中的结合作用。紫外光谱测量结果表明,普利沙星与Co(phen)32+发生了结合作用形成二元络合物,结合常数为2.0×104L/mol。电化学测量表明,在Co(phen)32+-普利沙星络合物中加入DNA后,Co(phen)32+-普利沙星络合物的峰电流下降,峰电位差增大了17 mV,式电位负移了3.5 mV,推断络合物与DNA作用方式主要为静电作用。 相似文献
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原子吸收法同时测定大豆及其乳制品中Zn、Cu、Co、Fe、Mn 总被引:10,自引:4,他引:6
本文采用干法灰化和湿法消化溶解样品,原子吸收法测定大豆及其乳制品中Zn、Cu、Co、Fe、Mn等元素。方法快速、简便,回收率为96%-103%。 相似文献
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