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1.
张勇  刘艳  吕斌  张红英  王基庆  汤乃云 《物理学报》2009,58(4):2829-2835
运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures) 程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因. 研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著. 随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和. 模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料. 关键词: 铟锡氧化物 非晶硅 微晶硅 计算机模拟  相似文献
2.
I.IntroductionLoudnessisoneofthedistinguishingcharactcristicsamonga1lacousticcriteriainauditori-umdesign.Insufficientorsevcrcunevendistributionofloudncsscausesseriousdeficiencytoauditoriumacoustics.Duetothelackofappropriateparamcter,thereisnowayeithertopre-dictloudnessinanauditoriumduringthedcsignstagc,ortochccktheactua1effectafterthecomp1etionoftheconstruction.Wca1lmighthavethcexpcricnccasanaudiencethatthestagcattractedmoreofourcon-ccntrationduringthesoftpassagcofthcpcrformance,whercaswewcre…  相似文献
3.
茅惠兵  景为平  俞建国  王基庆  王力  戴宁 《物理学报》2006,55(10):5435-5440
用动力学Monte Carlo模拟方法研究了GaAs(001)邻晶面的外延生长机制.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面外延机制有重要的影响.模拟结果显示,低温下Ehrlich-Schwoebel势垒几乎能完全阻止原子向下一台阶面的迁移,高温下原子已能有效地克服势垒的影响并向下一台阶面迁移.在外延生长初期,原子几乎在台阶面上均匀分布.当表面覆盖度达到一定数量后,台阶成核开始.而由于Ehrlich-Schwoebel势垒的存在,在台阶的上侧台阶面上开始有原子的积累,而如果没有Ehrlich-Schwoebel势垒,台阶上侧台阶面上的原子也能被有效地耗尽.Ehrlich-Schwoebel势垒对邻晶面上的外延生长模式有显著的影响,将明显提高达到台阶生长模式的温度.  相似文献
4.
王季卿 《应用声学》2004,23(4):21-24
传统古戏台下设瓮助声乃广为流传的说法,在国外亦有类似记述。作者对此作了考据和声学分析,认为事属妄传,当予澄清。  相似文献
5.
基于经典的色散理论建立的单振子光谱分析模型,通过理论推导,借助计算机辅助处理,提出了一种比较简捷直观的只利用垂直透射光谱对薄膜光谱进行分析的方法.利用这种方法分析了直流溅射制备的ZnO薄膜的透射光谱,计算出了薄膜在透明振荡区的折射率色散关系以及厚度等参量,并对分析方法给出了验证.  相似文献
6.
通过高精度量子化学理论计算的方法研究了分子间弱的非键相互作用对胸腺嘧啶、尿嘧啶、胞嘧啶和鸟嘌呤四种核酸碱基中17O核的屏蔽张量(σO)和四极耦合常数(QCC)的影响。计算结果表明分子间强的氢键作用以及弱的范德华(vdW)相互作用都对17O 核的化学位移(dO)具有较大的影响。随着分子间氢键作用的逐渐增强,dO逐渐减小,当采用包含所有弱相互作用的周期性模型进行计算时,理论结果与实验值吻合。进一步的电荷分析显示,17O核化学位移的减小主要是由于分子间氢键作用强度增加导致17O原子的负电荷密度逐渐增加。此外,计算结果表明碱基中分子间氢键网络和弱的范德华作用对碱基17O QCC也具有显著的影响。周期性模型下,碱基上氧原子的局域结构环境得到平衡,17O QCC达到最小值,与实验结果最为接近。以核酸碱基为例,说明了分子间的氢键网络以及分子间弱的相互作用对于准确计算生物样品的核磁共振(NMR)参数非常重要,以小的团簇模型来计算生物体系的核磁参数将会产生较大的偏差。  相似文献
7.
使用有效质量模型,从理论上对GaAs/Al0.35Ga0.65As不对称耦合量子点在不同耦合强度下束缚态和反束缚态的能级分裂情况进行了详细分析,重点探讨了电子和空穴的耦合隧穿对量子点体系能级特征及激子发光强度的影响。研究发现:不对称耦合量子点在外电场作用下价带束缚态和反束缚态能级出现反交现象,反交处的能级分裂值和临界电场随量子点间距的增加而减小;对应的激子发光强度也经历了从亮(暗)到暗(亮)激子的转变。  相似文献
8.
采用传输矩阵方法分析极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlxGa1-xN量子阱居里温度(TC)的调制作用.通过解薛定谔方程计算出在不同的内建电场条件下半导体量子阱局域态内的基态空穴能级和波函数分布情况,并在此基础上确定量子阱内Mn δ掺杂情况下TC随内建电场的变化趋势,分析了不同量子阱结构引起的内建电场分布变化及其对TC的影响.在耦合双量子阱中通过调节左右阱的不对称性可以得到TC近3倍的增长. 关键词: GaN 量子阱 内建电场 居里温度  相似文献
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