X光CCD响应特性

在北京同步辐射源上建立了Ｘ光ＣＣＤ量子效率实验标定方法,获得了１５０ｅＶ～１５００ｅＶ能区范围多个Ｘ光能点的量子效率实验结果,发展了Ｘ光ＣＣＤ量子效率简化计算模型,并对Ｘ光ＣＣＤ表面油沾污对量子效率的影响进行了实验研究和修正。