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1.
平板直流负偏压碰撞鞘层Child-Langmuir定律的拟合公式   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用流体动力学模型研究了离子与中性粒子的电荷交换碰撞效应对直流偏压鞘层厚度的影响。对于平板鞘层,结果表明随着碰撞参数的增大,鞘层厚度明显地变小。根据数值结果,给出了碰撞情况下的Child-Lang-muir定律的拟合式。研究了柱形和球形靶的靶半径对鞘层厚度的影响。  相似文献
2.
李雪春  王友年 《物理学报》2004,53(8):2666-2669
针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.  相似文献
3.
文章简要说明如何应用计算机三维重构技术 ,以MATLAB为开发工具研制成一个量子力学可视化的教学软件包中的一个重要组成部分———氢原子和多电子系统电子云、壳层结构和分子共价键的三维重构 .软件中所有形象表述都以量子力学的严格理论计算为基础 ,并且注意到量子力学不同寻常的基本概念的贯彻 .它们涉及到了单电子和多电子系统波函数的计算及其近似处理、密度矩阵的概念、斯莱特 (Slater)行列式等比较深入的数学物理问题  相似文献
4.
在理论分析的基础上,提出并实现了利用两个光纤光栅串联结构构成的平坦性较好,特定波 段荧光功率输出较大的超荧光光源,并和光纤反射圈结构和没有反射装置的结构作了比较. 实验利用了1052.54—1053.42nm的反射率为29.6dB和1052.624—1055.60nm的反射率为 34.4dB的两个宽带光纤光栅得到了1052.5—1055.5nm波段的3nm宽的比其他波段要高12dB 的超荧光.  相似文献
5.
The inflexion point of electron density and effective electron temperature curves versus radio-frequency (RF) bias voltage is observed in the H mode of inductively coupled plasmas (ICPs). The electron energy probability function (EEPF) evolves first from a Maxwellian to a Druyvesteyn-like distribution, and then to a Maxwellian distribution again as the RF bias voltage increases. This can be explained by the interaction of two distinct bias-induced mechanisms, that is: bias- induced electron heating and bias-induced ion acceleration loss and the decrease of the effective discharge volume due to the sheath expansion. Furthermore, the trend of electron density is verified by a fluid model combined with a sheath module.  相似文献
6.
高飞  李雪春  赵书霞  王友年 《中国物理 B》2012,21(7):75203-075203
A Langmuir probe and an ICCD are employed to study the discharge mode transition in Ar inductively coupled plasma. Electron density and plasma emission intensity are measured during the E (capacitive discharge) to H (inductive discharge) mode transitions at different pressures. It is found that plasma exists with a low electron density and a weak emission intensity in the E mode, while it has a high electron density and a strong emission intensity in the H mode. Meanwhile, the plasma emission intensity spatial (2D image) profile is symmetrical in the H mode, but the 2D image is an asymmetric profile in the E mode. Moreover, the electron density and emission intensity jump up discontinuously at high pressure, but increase almost continuously at the E to H mode transition under low pressure.  相似文献
7.
We present the design and experimental results for a diode pumped Nd:YLF regenerative amplifier applied to amplify a nanosecond laser pulse. Numerical simulation shows that the maximum output energy and the best stability can be obtained when the regenerative amplifier operates in a saturated mode for all pulse duration and temporal profiles. Using extra post-pulse is a good method to decrease the square-pulse distortion caused by gain saturation effect. The amplifier shows output energy of 4.2mJ with a total energy gain of more than 10^7 and output energy stability of better than 1% rms. When extra post-pulse is added, square-pulse distortion is decreased from 1.33 to 1.17 for the amplifier that is seeded with an optical pulse of 3ns.  相似文献
8.
热效应仍是限制激光放大器向高功率、高光束质量进一步发展的瓶颈问题, 高效的热管理是抑制热效应的重要技术途径. 研究了基于激光二极管抽运氦气冷却的钕玻璃叠片激光放大器的热效应. 利用有限元数值模拟的方法, 分析了钕玻璃的温度、应力应变和应力双折射分布, 并计算了热致波前畸变和退偏损耗, 与实验结果符合得较好, 在热沉积为0.7 W/cm3的条件下, 6片钕玻璃总的热致波前畸变为6.77λ , 最大退偏量大于90%.  相似文献
9.
林圆圆  姜有恩  韦辉  范薇  李学春 《物理学报》2015,64(15):154207-154207
针对波长1053 nm, 0°高反介质膜元件, 采用有限时域差分法, 模拟分析了损伤修复点边缘与法线的夹角对膜层内电场强度分布的影响, 该角度越小, 修复点的损伤阈值越高. 通过优化飞秒激光微加工过程中的焦斑尺寸、脉冲能量、扫描步长和扫描次数等参数, 获得了夹角为25°、深度为14 μm的修复点. 该修复点典型的损伤阈值为21 J/cm2, 是修复前的2.3倍, 50个修复点的测试结果表明该修复参数具有非常好的可重复性. 修复点的测试结果还验证了修复点边缘与法线的夹角大小与其损伤阈值的关系, 45°的电场强度最大值约为25°的2.5倍, 而45°的损伤阈值约为25°的1/2, 模拟和实验结果一致性较好. 同时, 实验验证了微加工的激光脉宽对修复点损伤阈值的影响, 在只改变脉宽的情况下, 脉宽越长, 损伤阈值越低.  相似文献
10.
汪超  韦辉  王江峰  姜有恩  范薇  李学春  Li Xue-Chun 《物理学报》2014,63(22):224204-224204
搭建了一台高重复频率、高峰值功率、高平均功率的激光器. 激光器主要包括三部分: 单纵模光纤种子源、激光二极管阵列抽运的Nd:YAG再生放大器和四程放大器. 系统获得了平均功率11 W、重复频率100 Hz、脉冲能量112 mJ、脉宽500 ps–2 ns可调的激光输出, 工作波长1064 nm. 输出光束口径6.8 mm, 1.5倍衍射极限, 近场光强近平顶分布, 能量稳定性为0.72%. 关键词: 激光二极管抽运 高重复频率 高峰值功率 高平均功率  相似文献
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