狭义相对论的创立与爱因斯坦的创新思维

 1905年,爱因斯坦(A.Eindtein,1879～1955)发表了具有划时代意义的论文《论动体的电动力学》,创立了狭义相对论。他把力学现象和电磁现象的规律平等统一在相对性原理之下,得到一系列不同于牛顿力学的重要结论,解释了与牛顿理论相矛盾的全部实验现象,从根本上改变了传统的时空观念,解决了许多重要的物理问题。不仅如此,他思考问题、研究问题的创新思维带给人们更多的思考。追溯爱因斯坦狭义相对论思想的发展线索,透视其科学创新思维方法,将有助于我们深入理解他的科学思想,并从认识论、方法论的高度得到提升。     

双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究

研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391～1438nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层实施原位退火、采用Sb辅助生长InGaAs盖层等方法可以增强高密度(2×1010 cm-2)InAs量子点的发光强度,减小光谱线宽,改善均匀性和红移发光波长。     

爱因斯坦对量子理论发展的重要影响

结合20世纪量子力学发展的特殊历史背景,从早期的量子论到现行量子力学理论体系的形成和完善过程出发,讨论了爱因斯坦在量子力学方面的重要工作,指出他在量子理论发展的不同时期都发挥了重要作用,对量子力学理论的研究产生了重要而又深远的影响,极大地促进了量子力学的发展.     

Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-μm In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Evolution of surface morphology and optical characteristics of 1.3-μm In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots （QDs） grown by molecular beam epitaxy （MBE） are investigated by atomic force microscopy （AFM） and photoluminescence （PL）. After deposition of 16 monolayers （ML） of In0.5Ga0.5As, QDs are formed and elongated along the [120] direction when using sub-ML depositions, while large size InGaAs QDs with better uniformity are formed when using ML or super-ML depositions. It is also found that the larger size QDs show enhanced PL efficiency without optical nonlinearity, which is in contrast to the elongated QDs.