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1.
本文分别利用Gauss、Lorentz和Voigt函数对10Pa背景气压下飞秒激光诱导Cu等离子体光谱进行了拟合分析,结果表明,光谱在150ns内与Lorentz线型符合较好,200ns后与Gauss线型符合较好,Voigt线型与实验谱线一直符合较好。本文还对等离子体的电子密度和温度进行了诊断,并给出了它们随时间的演化;由发射光谱强度的时空演化,推知了等离子体的空间分布;利用时间飞行谱(TOF)得出了等离子体初期沿垂直靶面的膨胀速度。  相似文献   
2.
准分子激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机理研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用光学显微镜和扫描电子显微镜对248 nm准分子脉冲强激光辐照的HgCdTe晶片表面进行了观察,观察到一些与红外波段内激光辐照HgCdTe晶片时大不相同的实验现象.研究表明,红外波段内1 064nm激光辐照HgCdTe半导体材料的损伤机制主要为光热作用,而紫外波段248 nm准分子激光对HgCdTe材料的损伤机制既包含光化学作用也包含光热作用.分析了准分子激光对晶体的机械破坏现象,同时对HgCdTe材料在激光辐照区的条纹产生机理进行了探讨,发现激光驱动声波理论模型比光学模型和热导波模型能更好地解释HgCdTe晶体表面的条纹现象.  相似文献   
3.
The vaporization threshold was measured under the irradiation of 1.064-μm,10-ns pulsed laser.Then we calculated the vaporization temperature based on the conservation law of energy and analyzed the vaporization time based on our established model.These results coincided well with the information from the micrograph of scanning electron microscope(SEM)and the spectra of the plasma.Besides,the laser ablation rate was also computed and discussed theoretically.  相似文献   
4.
A Nd:YAG pulsed laser is used to ablate HgCdTe target at different ambient pressures, the emission spectrum is detected by a time- and space-resolved diagnostic technique. It is found that the characteristics of time-resolved emission spectra are influenced by the pressure of background gas. A theoretical model is developed to investigate expansion mechanism of plasma, the time evolution of the propagation distances and the velocities of plasma plume are calculated by the model at pressures of 1.01×105, 1000, and 5 Pa, respectively. The calculated results are well consistent with the experimental data.  相似文献   
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