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1.
We investigate the relationship between the beam intensity and the four-wave mixing diffraction efficiency of longitudinal-field multiple-quantum-well(LMQW) photorefractive device grown at low temperature. The optimum beam intensity is found. We also explain the different mechanisms of the effect of beam intensity on the diffraction efficiency of the LMQW device and the transverse-field MQW device. Some advice on how to improve the diffraction efficiency is given.  相似文献   
2.
GaN的声表面波特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度(ν)为5667m/s,机电耦合系数(κ^2)为1.9%。  相似文献   
3.
采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6.3×1010/cm2。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性---超长红移现象。它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应。  相似文献   
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