一种精确测量原子喷泉冷原子团温度的方法

冷原子团的高斯半径和温度是用来描述冷原子团,反映冷原子特性的主要参数.本文提出了一种新型的测量冷原子团高斯半径和温度的方法,采用过饱和近共振激光束照射冷原子团,原子由于吸收了光子动量偏离原来的运动轨道,而不能被探测系统所探测.根据冷原子团的原子分布规律,理论上构建了物理模型,通过改变作用于冷原子团的推除光的尺寸来控制被推除的冷原子数目,计算得到了不同高斯半径的冷原子团剩余原子数目与推除光尺寸的关系.以国家授时中心铯原子喷泉为实验平台,利用横向偏置的刀口光阑在不同下落高度控制作用于冷原子团的推除光尺寸,测量出不同高度的剩余原子数目随推除光尺寸的变化情况.应用理论公式拟合实验数据,最终得到冷原子团在磁光阱中心正下方10 mm和160 mm处的高斯半径分别为(1.54±0.05) mm和(3.29±0.08) mm,进一步计算得到冷原子团温度为(7.50±0.49)μK.为了验证刀口法的准确性和可重复性,在同一实验条件下用刀口法和飞行时间法对冷原子团温度进行了测量与对比,最终得到两种方法的测量结果基本一致.     

时间频率基准装置的研制现状

时间频率基准装置——铯原子喷泉钟, 在标准时间产生和保持、基础物理研究中发挥了重要的作用. 介绍了铯原子喷泉钟的工作原理, 对影响其性能的各项噪声源和频移项给出了分析, 影响频率稳定度性能的主要因素为Dick 效应相关的原子团装载时间、微波激励源相位噪声和探测激光的频率噪声, 影响频率不确定性能主要频移项为: 黑体辐射频移、冷原子碰撞频移、腔相位分布频移和微波泄露频移; 总结和比较了当前具有先进性能的铯原子喷泉钟采用的技术; 介绍了铯原子喷泉钟的主要应用方向、空间冷原子铯钟的研制情况和光学频率原子钟进展.     

二维磁光阱产生铯原子束的数值模拟

通过分析铯原子在σ+-σ-组态的圆偏振光照射下塞曼子能级的分布情况,构造铯原子在二维磁光阱(2D-MOT)中的受力模型,利用龙格-库塔方法求解铯原子的运动方程,实现原子束产生过程的三维模拟。得出原子束流量随小孔半径、铯原子蒸汽压、激光光强、激光失谐量、磁场梯度等的变化规律。与实验数据进行比较表明受力模型的正确性, 该方法能直观模拟原子束的产生,准确揭示原子束流量随各项参数的变化规律,为实验提供理论指导。     

微波法合成纳米MnO_2及其电化学性能研究

采用微波法制备了不同形貌的MnO2纳米粉体。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对MnO2的微观结构和形貌进行了表征。结果表明:制备的MnO2为α-MnO2和γ-MnO2的混晶,随着微波反应时间的增加,其形状由花瓣状过渡为棒状,并且其晶型越来越完整。电化学测试结果表明,合成的MnO2在2 mol/L的(NH4)2SO4中具有较好的电化学性能,在2 mA/cm2的电流下放电时的比容量为240 F/g。     

Robust external cavity diode laser system with high frequency stability for Cs atomic clock

<正>A robust external cavity diode laser(ECDL) insensitive to mechanical vibration is built with an interference filter for selecting wavelength and a cat-eye reflector for light feedback.The free-running laser has a linewidth of 72 kHz.The laser frequency stability reaches 3×10~(-12) at 1-s integration time in terms of relative Allan variance based on the saturation absorption spectrum.     

二维磁光阱产生铯原子束的数值模拟

通过分析铯原子在σ~+-σ~-组态的圆偏振光照射下塞曼子能级的分布情况,构造铯原子在二维磁光阱(2D-MOT)中的受力模型,利用龙格-库塔方法求解铯原子的运动方程,实现原子束产生过程的三维模拟.得出原子束流量随小孔半径、铯原子蒸汽压、激光光强、激光失谐量、磁场梯度等的变化规律.与实验数据进行比较表明受力模型的正确性,该方法能直观模拟原子束的产生,准确揭示原子束流量随各项参数的变化规律,为实验提供理论指导.     

Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes

Polarization-resolved edge-emitting electroluminescence （EL） studies of In GaN/GaN MQWs of wavelengths from near-UV （390nm） to blue （468nm） light-emitting diodes （LEDs） are performed. Although the TE mode is dominant in all the samples of InGaN/GaN MQW LEDs, an obvious difference of light polarization properties is found in the InGaN/GaN MQW LEDs with different wavelengths. The polarization degree decreases from 52.4% to 26.9% when light wavelength increases. Analyses of band structures of InGaN/GaN quantum wells and luminescence properties of quantum dots imply that quantum-dot-like behavior is the dominant reason for the low luminescence polarization degree of blue LEDs, and the high luminescence polarization degree of UV LEDs mainly comes from QW confinement and the strain effect. Therefore, indium induced carrier confinement （quantum-dot-like behavior） might play a major role in the polarization degree change of InGaN/GaN MQW LEDs from near violet to blue.     

应用于铯原子喷泉钟的二维磁光阱研制

理论模拟研究了二维磁光阱原子束流量与饱和蒸汽压、冷却光强、激光失谐量的关系, 构建了二维磁光阱(2D-MOT)装置, 实验上实现了大流量的慢速原子束, 其测量值为2.1× 10⁹/s.利用荧光法测量了各实验参数与流量的关系, 测量结果与数值模拟结果符合较好. 关键词： 2D-MOT 流量 慢速原子束 铯原子喷泉钟