首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   203篇
  免费   64篇
  国内免费   49篇
化学   112篇
晶体学   23篇
力学   14篇
综合类   4篇
数学   39篇
物理学   124篇
  2023年   2篇
  2022年   6篇
  2021年   5篇
  2020年   2篇
  2019年   8篇
  2018年   12篇
  2017年   5篇
  2016年   7篇
  2015年   8篇
  2014年   13篇
  2013年   17篇
  2012年   13篇
  2011年   9篇
  2010年   10篇
  2009年   6篇
  2008年   13篇
  2007年   11篇
  2006年   11篇
  2005年   14篇
  2004年   18篇
  2003年   10篇
  2002年   5篇
  2001年   6篇
  2000年   15篇
  1999年   13篇
  1998年   5篇
  1997年   8篇
  1996年   6篇
  1995年   14篇
  1994年   6篇
  1993年   4篇
  1992年   1篇
  1991年   10篇
  1990年   2篇
  1989年   4篇
  1988年   5篇
  1987年   1篇
  1985年   3篇
  1984年   3篇
  1982年   2篇
  1980年   1篇
  1977年   2篇
排序方式: 共有316条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Yue Li 《中国物理 B》2022,31(9):97307-097307
Ferroelectric (FE) HfZrO/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack AlGaN/GaN metal-FE-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MFSHEMTs) with varying Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N barrier thickness and Al composition are investigated and compared by TCAD simulation with non-FE HfO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack metal-insulator-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MISHEMTs). Results show that the decrease of the two-dimensional electron gas (2DEG) density with decreasing AlGaN barrier thickness is more effectively suppressed in MFSHEMTs than that in MISHEMTs due to the enhanced FE polarization switching efficiency. The electrical characteristics of MFSHEMTs, including transconductance, subthreshold swing, and on-state current, effectively improve with decreasing AlGaN thickness in MFSHEMTs. High Al composition in AlGaN barrier layers that are under 3-nm thickness plays a great role in enhancing the 2DEG density and FE polarization in MFSHEMTs, improving the transconductance and the on-state current. The subthreshold swing and threshold voltage can be reduced by decreasing the AlGaN thickness and Al composition in MFSHEMTs, affording favorable conditions for further enhancing the device.  相似文献   
2.
Weihao Li 《中国物理 B》2022,31(11):117106-117106
Current-induced multilevel magnetization switching in ferrimagnetic spintronic devices is highly pursued for the application in neuromorphic computing. In this work, we demonstrate the switching plasticity in Co/Gd ferrimagnetic multilayers where the binary states magnetization switching induced by spin-orbit toque can be tuned into a multistate one as decreasing the domain nucleation barrier. Therefore, the switching plasticity can be tuned by the perpendicular magnetic anisotropy of the multilayers and the in-plane magnetic field. Moreover, we used the switching plasticity of Co/Gd multilayers for demonstrating spike timing-dependent plasticity and sigmoid-like activation behavior. This work gives useful guidance to design multilevel spintronic devices which could be applied in high-performance neuromorphic computing.  相似文献   
3.
利用第一性原理从头计算方法对立方相KNbO3晶体的肖特基缺陷的稳定性、能带结构、电子态密度和磁性性质进行了研究.发现含本征点缺陷的KNbO3体系结构稳定;K,Nb空位诱导KNbO3缺陷晶体产生铁磁性;O空位则无此性质.K空位诱导KNbO3缺陷晶体磁性源于O原子2p轨道退简并;Nb空位诱导KNbO3缺陷晶体磁性源于O-2p电子极化.  相似文献   
4.
便携式X射线荧光光谱仪快速监测重金属土壤环境质量   总被引:8,自引:0,他引:8  
便携式X射线荧光光谱仪(PXRF )作为一种新型快速测试手段具有突出的应用前景,但也存在检测范围和检测限的局限,为此本文研究PXRF仪器在快速监测土壤环境质量中Cr ,Ni ,Cu ,Zn ,Pb ,Cd ,As和Hg等8种重金属元素的适用性,筛选仪器可检测元素,评价检测结果准确度。具体方法是使用仪器测试重金属污染土壤样品,测试结果与电感耦合等离子体质谱分析方法(IC P‐M S )测试值进行对比,评判检测结果精密度,建立PXRF仪器测试值与ICP‐MS仪器测试值的线性回归关系。结果表明:(1)在监测重金属土壤环境质量时,PXRF仪器可用于检测土壤中Pb ,Zn ,Cr和Cu含量,但不适于检测Ni ,Cd ,As和 Hg含量。(2)Pb和Zn测试值稍低于ICP‐MS测试值,Cu偏高,而Cr过高;PXRF仪器测试值需要参照标准分析方法进行线性校正。研究结论为:便携式X射线荧光光谱仪适用于Pb ,Zn ,Cr和Cu等4种重金属的土壤环境质量监测,是一种简单快速、准确可靠的低成本土壤重金属分析手段。该研究的创新之处是合理规避PXRF仪器的缺点,将仪器应用于土壤环境质量监测,提高了测试结果应用价值。  相似文献   
5.
提出一种大规模声学边界元法的高效率、高精度GPU并行计算方法.基于Burton-Miller边界积分方程,推导适于GPU的并行计算格式并实现了传统边界元法的GPU加速算法.为提高原型算法的效率,研究GPU数据缓存优化方法.由于GPU的双精度浮点运算能力较低,为了降低数值误差,研究基于单精度浮点运算实现的double-single精度算法.数值算例表明,改进的算法实现了最高89.8%的GPU使用效率,且数值精度与直接使用双精度数相当,而计算时间仅为其1/28,显存消耗也仅为其一半.该方法可在普通PC机(8GB内存,NVIDIA GeForce 660 Ti显卡)上快速完成自由度超过300万的大规模声学边界元分析,计算速度和内存消耗均优于快速边界元法.  相似文献   
6.
心血管疾病是当前全球范围内导致人类死亡的首要原因, 心肌组织工程的发展为心血管疾病的治疗, 尤其是心肌组织再生修复提供了最有潜力的解决方案.心血管疾病的发生发展与细胞力--电微环境的变化密切相关. 近十几年, 随着先进生物材料和微纳生物制造技术的发展, 越来越多的研究表明, 细胞力--电微环境的调控对工程化心肌组织的成熟和功能化以及心肌组织再生修复具有重要意义. 本文首先阐明了在体心肌细胞所处力学微环境的生物学基础以及电信号的传导过程, 包括正常和疾病状态下心肌细胞所处的力--电微环境.其次调研了用于心肌组织工程的先进生物材料的研究现状.最后总结用于基底硬度与应力应变细胞微环境以及细胞电学微环境的构建和调控, 以及细胞对力--电微环境的生物学响应.%   相似文献   
7.
利用乙二醇还原合成银纳米线.研究了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的平均分子量,AgNO3与PVP(平均分子量为1300000)物质的量的比,控制剂(Cl-)离子浓度对产物形貌及银纳米线长径比的影响.通过SEM、XRD测试,对不同的条件下制备的纳米银线进行微观形貌和晶体结构进行表征.实验表明,PVP平均分子量对纳米银线制备有着重要的影响且不同的PVP平均分子量需要不同的溶液浓度体系才能制备出高纯高产高长径比的纳米银线.当PVP的平均分子量为1300000,控制剂为CuCl2·2H2O和KCl,AgNO3与PVP物质的量之比为1∶2,反应时间为1h,纳米银线的直径大约为80 nm,长度大约为100 μm,长径比可高达1000多.  相似文献   
8.
李炎勇  汪华锋  曹玉飞  王开友 《中国物理 B》2013,22(2):27504-027504
We investigated the effect of low temperature annealing on magnetic anisotropy in 7-nm ultrathin Ga0.94Mn0.06As devices by measuring the angle-dependent planar Hall resistance(PHR).Obvious hysteresis loops were observed during the magnetization reversal through the clockwise and counterclockwise rotations under low magnetic fields(below 1000 Gs,1 Gs = 10-4 T),which can be explained by competition between Zeeman energy and magnetic anisotropic energy.It is found that the uniaxial anisotropy is dominant in the whole measured ferromagnetic range for both the as-grown ultrathin Ga0.94Mn0.06As and the annealed one.The cubic anisotropy changes more than the uniaxial anisotropy in the measured temperature ranges after annealing.This gives a useful way to tune the magnetic anisotropy of ultrathin(Ga,Mn)As devices.  相似文献   
9.
采用传统固相烧结法制备了Pb_(0.92)Sr_(0.08-x)Ba_x(Sb_(2/3)Mn_(1/3))_(0.05)Zr_(0.48)Ti_(0.47)O_3(PSBSM-PZT)压电陶瓷样品。研究了不同Sr2+、Ba2+掺杂含量对样品的相结构、微观形貌、压电和介电性能的影响。结果显示:所有样品均为钙钛矿结构。而当x=0.02~0.06时,陶瓷样品组分位于准同型相界区(MPB)。由于位于准同型相界区域的陶瓷样品对于电畴的转向具有促进作用,所以处于MPB区域的陶瓷样品具有较大的压电和介电性能,但同时由于电畴转向带来的较大内摩擦和结构损耗,从而提高了材料的机械损耗和介电损耗。当x=0.02时的陶瓷样品获得最佳的综合性能:d33=346 pC/N,kp=0.58,Qm=1217,εr=1724,tanδ=0.774%。  相似文献   
10.
利用基于第一性原理的自旋极化密度泛函理论计算了B掺杂BaTiO3的稳定性、电子结构和磁学性质。结果表明B掺杂BaTiO3体系稳定,并表现为铁磁性。B替位掺杂BaTiO3体系的磁性机制可归结为部分B2p电子的自旋极化和B2p/O2p与Ti3d电子的p-d耦合作用,B间隙掺杂BaTiO3体系中磁性源于未配对Ti3d电子的自旋极化。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号