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1.
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度变窄.主要原因在于Cd的掺入导致Zn4s轨道中能级越来越低的电子参与作用,使得决定导带底的反键Zn 4s态能级逐渐降低,同时由pd反键轨道控制的价带顶能级逐渐升高. 关键词: 密度泛函理论 超软赝势方法 Cd掺杂ZnO  相似文献   
2.
The lowest-energy structures and the electronic properties of CdnSn (n = 1 - 8) clusters have been studied by using denslty-functional theory simulating package DMol^3 in the generalized gradient approximation (GGA). The ring-like structures are the lowest-energy configurations for n = 2, 3 and the three-dimensional spheroid configurations for n = 4 - 8. The three-dimensional structures may be considered as being built from the Cd2S2 and Cd3S3 rings. Compared to the previous reports, we have found the more stable structures for CdnSn(n = 7, 8). Calculations show that the magic numbers of CdnSn (n = 1-8) clusters are n = 3 and 6. As cluster size increases, the properties of CdnSn clusters tend to bulk-like ones in binding energy per CdS unit and Mulliken atomic charge, obtained by comparing with the calculated results of the wurtzite and zinc blende CdS for the same simulating parameters.  相似文献   
3.
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿CdTe及不同量Hg掺杂HgxCd1-xTe的电子结构,给出了相应的的能带结构、态密度、差分电荷分布及光吸收谱。计算结果表明,随着Hg掺杂含量的增加,体系禁带宽度逐渐变窄,并给出了禁带宽度变窄的微观机理。  相似文献   
4.
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO及不同量Cd掺杂ZnO的电子结构.计算结果表明,Cd的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度变窄.主要原因在于Cd的掺入导致Zn 4s轨道中能级越来越低的电子参与作用,使得决定导带底的反键Zn 4s态能级逐渐降低,同时由pd反键轨道控制的价带顶能级逐渐升高.  相似文献   
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